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2SC1001-2SC2000三极管参数表

时间:2009-02-12 14:32:58

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1001 东芝 RF.PA Si.EP 40 4 500 5W(Tc=25℃) 175 >20 84B -
2SC1002 东芝 RF.PA Si.EP 36 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 60 84B -
2SC1003 东芝 RF.PA Si.EP 36 4 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 111 -
2SC1004 东芝 PA Si.TMe 1100 5 500 50W(Tc=25℃) 150 30-160 102 -
2SC1004A 东芝 PA.SW Si.TMe 1500 5 500 50W(Tc=25℃) 150 30-160 102 -
2SC1005 东芝 PA Si.TMe 1100 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 12 102 -
2SC1005A 东芝 PA Si.TMe 1400 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 12 102 -
2SC1006 日电 RF.AF Si.E 50 5 30 300 150 600 49C 2SA579
2SC1007 日电 RF.SW Si.E 60 8 20 300 150 150 49C -
2SC1008 日电 RF Si.E 80 8 700 800 150 160 84B 2SA708
2SC1008A 日电 RF Si.E 100 8 700 800 150 140 84B 2SA708A
2SC1009 日电 RF.Conv.Mix.Osc.LN Si.E 50 5 50 150 125 80 176 -
2SC1010 日电 AF.LN Si.E 50 5 30 300 150 550 49C 2SA578
2SC1011 三菱 PA Si.EP 40 4 750 8.6W(Tc=25℃) 175 50 271 -
2SC1012 松下 - Si.TP 165 5 60 2.5W(Tc=25℃) - 60 84B -
2SC1012A 松下 RF.AF Si.TP 250 5 60 2.5W(Tc=25℃) 175 60 84B -
2SC1013 三菱 SW.PA Si.EP 35 5 1.5A 7W(Tc=25℃) 150 80 132 -
2SC1014 三菱 SW.PA Si.EP 50 5 1.5A 7W(Tc=25℃) 150 70 132 -
2SC1015 三菱 PA Si.EP 40 4.5 3A 33W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC1016 三菱 PA Si.EP 35 - 500 2W 200 50 271 -
2SC1017 三菱 PA Si.EP 75 4 1A 4W(Tc=25℃) 125 50 132 -
2SC1018 三菱 PA Si.EP 75 4 1A 4W(Tc=25℃) 125 50 132 -
2SC1019 三菱 PA Si.EP 60 - 4A 40W(Tc=25℃) 175 50 188 -
2SC1020 三菱 PA Si.EP 60 - 8A 70W(Tc=25℃) 175 50 188 -
2SC1021 三菱 PA Si.EP 60 5 6A 60W(Tc=25℃) 175 50 127 -
2SC1022 三菱 PA Si.EP 60 5 6A 60W(Tc=25℃) 175 50 127 -
2SC1023 富士通 RF.Conv.Mix.Osc. Si.P 25 3 25 150 125 40 138 -
2SC1024 三洋 PA Si.TMe 60 4 3A 25W(Tc=25℃) 150 25-200 99 -
2SC1025 三洋 PA Si.TMe 200 6 3A 25W(Tc=25℃) 150 40-320 99 -
2SC1026 富士通 RF.Conv. Si.P 25 3 25 150 125 70 138 -
2SC1027 三洋 SW Si.Me 250 5 6A 50W(Tc=25℃) 150 >9 102 -
2SC1030 日立 PA Si.T 150 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 80 102 2SA756
2SC1031 日电 SW Si.TMe 300 6 .2A 30W(Tc=25℃) 175 220 99 -
2SC1032 富士通 RF Si.P 25 3 25 150 125 100 138 -
2SC1033 松下 RF.AF Si.TP 200 5 25 300 175 >30 49C -
2SC1033A 松下 RF.AF Si.TP 250 5 25 300 175 >20 49C -
2SC1034 Sony PA.SW Si.TMe 1100 13 1A 25W(Tc=25℃) 150 18 100 -
2SC1035 三洋 LN Si.TP 30 3 20 150 150 100 205C -
2SC1036 三洋 RF Si.TP 30 3 20 150 150 100 205C -
2SC1037 日电 PA Si.E 60 4 4A 50W(Tc=25℃) 175 50 111 -
2SC1038 日电 PA Si.E 40 3 150 3.75W(Tc=25℃) 175 15-200 129 -
2SC1039 日电 PA Si.E 40 3 250 7.5W(Tc=25℃) 175 15-200 129 -
2SC1040 日电 PA Si.E 45 4 1.2A 15W(Tc=25℃) 175 15-200 184 -
2SC1041 日电 PA Si.E 40 3 150 3.75W(Tc=25℃) 175 15-200 129 -
2SC1042 日电 PA Si.E 40 3 250 7.5W(Tc=25℃) 175 15-200 129 -
2SC1043 日电 RF.LN Si.E 45 3 300 6W(Tc=25℃) 175 80 129 -
2SC1044 日电 RF Si.E 45 4 30 250 200 100 50C -
- -
2SC1045 三洋 RF.PA Si.T 1000 5 1A 25W(Tc=25℃) 125 25-200 102 -
2SC1046 三洋 PA Si.TMe 1000 6 3A 25W(Tc=25℃) 150 8 102 -
2SC1047 松下 RF Si.EP 30 3 15 400 150 120 138 -
2SC1048 三洋 " Si.Me 200 6 50 600 150 90 84B -
2SC1050 三洋 PA Si.TMe 300 6 1A 40W(Tc=25℃) 150 90 102 -
2SC1051 三洋 PA Si.TMe 150 6 7A 60W(Tc=25℃) 150 90 102 -
2SC1052 富士通 SW Si.EP 75 5 1A 800 175 40 84B -
2SC1053 富士通 SW Si.EP 75 5 700 800 175 50 123 -
2SC1054 富士通 RF.LN Si.EP 35 3 50 180 175 60 205C -
2SC1055 日立 PA.SW Si.T 130 6 7A 25W(Tc=25℃) 175 60 153 -
2SC1056 Sony RF Si.PaMe 260 5 100 750 175 150 181 -
2SC1057 富士通 PA Si.EP 50 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 133 -
2SC1058 富士通 PA Si.EP 50 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 -
2SC1059 日立 - 300 4 150 8W(Tc≦70℃) 150 60 -
2SC1060 日立 PA Si.T 50 4 3A 25W(Tc=25℃) 150 35-320 2SA670
2SC1061 日立 PA Si.T 50 4 3A 25W(Tc=25℃) 150 35-320 2SA671
2SC1062 富士通.日电 SW Si.TMe 200 4 100 700 175 60 -
2SC1063 Sony SW Si.DB 10 5 1A 750 150 60 -
2SC1064 东光 SW Si.EP 60 5 1A 800 175 45 -
2SC1065 东光 SW Si.EP 90 5 1A 800 175 40 -
2SC1066 富士通 RF Si.EP 20 3 25 200 175 - -
2SC1067 富士通 RF Si.EP 35 3 50 180 175 60 -
2SC1068 富士通 RF Si.EP 25 3 150 600 175 100 -
2SC1069 富士通 SW Si.EP 100 6 1A 800 175 40 -
2SC1070 日电 RF Si 30 4 20 150 150 40-200 -
2SC1071 富士通.日电 SW Si.EP 30 5 200 300 175 80 -
2SC1072 富士通.日电 SW Si.EP 60 5 700 800 175 50 2SA717
2SC1072A 富士通.日电 SW Si.EP 66 5 700 800 175 50 -
2SC1073 松下 PA Si.EP 36 4 500 2W(Tc=25℃) 175 70 -
2SC1074 松下 PA Si.EP 36 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 -
2SC1075 松下 PA Si.EP 36 4 2A 20W(Tc=25℃) 175 60 -
2SC1076 松下 PA Si.EP 36 4 3A 30W(Tc=25℃) 175 50 -
2SC1077 东芝 PA Si.EP 65 4 5A 50W(Tc=25℃) 175 >20 -
2SC1078 东芝 PA Si.TMe 700 5 500 20W(Tc=25℃) 150 70 -
2SC1079 东芝 PA Si.TMe 150 5 12A 100W(Tc=25℃) 150 40-140 -
2SC1080 东芝 PA Si.TMe 110 5 12A 100W(Tc=25℃) 150 40-140 -
2SC1081 日电 PA Si.TMe 40 4 2.5A 30W(Tc=25℃) 175 70 -
2SC1082 富士通 PA Si.EP 50 3.5 500 7W(Tc=25℃) 175 50 -
2SC1083 富士通 PA Si.EP 40 3.5 500 3W(Tc=25℃) 175 80 -
2SC1084 富士通 RF.AF " 35 4 50 250 175 300 -
2SC1085 日立 RF.LN Si.DB 30 5 100 200 125 160 -
2SC1086 Sony PA.SW Si.TMe 1000 14 4A 125W(Tc=25℃) 120 12 -
2SC1087 富士通 PA Si.EP 45 3.5 3A 25W(Tc=25℃) 175 50 -
2SC1088 三菱 PA Si.TP 300 5 100 12.5W(Tc=25℃) 150 70 -
2SC1089 三菱 PA Si.TP 300 5 100 12.5W(Tc=25℃) 150 70 -
2SC1090 日电 RF Si.E 20 3 50 300 200 60 -
2SC1092 日电 PA Si.E 150 5 700 800 150 90 -
2SC1095 日电 PA Si.E 30 5 2A 10W(Tc=25℃) 150 80 -
2SC1096 日电 PA Si.E 40 5 3A 10W(Tc=25℃) 150 100 2SA634
2SC1097 日电 PA Si.E 60 5 1A 10W(Tc=25℃) 150 80 -
2SC1098 日电 PA.SW Si.E 70 5 3A 10W(Tc=25℃) 150 100 2SA636
2SC1098A 日电 PA.SW Si.E 70 5 3A 10W(Tc=25℃) 150 100 2SA636A
2SC1099 日电 SW Si.TMe 1200 7 4.5A 50W(Tc=25℃) 150 25 -
2SC1100 日电 SW Si.TMe 1100 7 4.5A 50W(Tc=25℃) 150 25 -
- - - -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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[!--empirenews.page--]2SC三极管参数[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1204 日立 RF.AF Si.EP 30 - 100 310 125 250 37A -
2SC1205 日立 RF.Mix. Si.P 30 - 100 310 125 120 37A -
2SC1206 三菱 RF.PA Si.EP 45 4.5 1.7A 25W(Tc=25℃) 175 50 209 -
2SC1206A 三菱 PA Si.EP 45 4.5 1.7A 25W(Tc=25℃) 175 50 209 -
2SC1206B 三菱 PA Si.EP 45 4.5 2A 25W(Tc=25℃) 175 50 209 -
2SC1207 三菱 PA Si.EP 45 4.5 3A 30W(Tc=25℃) 175 50 209 -
2SC1207A 三菱 PA Si.EP - 209 -
2SC1207B 三菱 PA Si.EP 45 4 4A 50W(Tc=25℃) 175 - 209 -
2SC1208 三菱 PA Si.EP 36 5 10A 60W(Tc=25℃) 175 50 127 -
2SC1208A 三菱 PA Si.EP 36 5 10A 60W(Tc=25℃) 175 - 127 -
2SC1209 三菱 PA Si.EP 25 4 700 500 125 100 138B 2SA695
2SC1210 三菱 PA Si.EP 45 4 500 500 125 100 138B 2SA696
2SC1211 三菱 RF.PA Si.EP 65 4 500 500 125 100 138 2SA697
2SC1212 日立 PA Si.EPa 50 4 1A 8W(Tc=25℃) 150 60-200 160 2SA743
2SC1212A 日立 PA Si.EPa 80 4 1A 8W(Tc=25℃) 150 60-200 160 2SA743A
2SC1213 日立 AF Si.EPa 35 4 500 400 125 60-320 138 2SA673
2SC1213A 日立 AF Si.EPa 50 4 500 400 125 60-320 138 2SA673A
2SC1214 日立 AF Si.EPa 50 4 500 600 125 60-320 138 -
2SC1215 松下 AF Si.EP 30 3 50 400 150 100 138 -
2SC1216 日电 SW Si.E 40 5 200 300 150 140 49C -
2SC1217 日电 RF.SW Si.E 150 5 300 750 175 70 84B 2SA712
2SC1218 日电 RF.SW Si.E 80 5 500 750 175 80 84B -
2SC1219 富士通 RF Si.EP 30 5 500 200 125 160 138 -
2SC1220 富士通 RF Si.EP 50 5 500 200 125 160 138 -
2SC1222 日电 RF.LN Si.E 60 5 100 250 125 500 138 2SA640
2SC1223 三菱 PA Si.EP 30 4 500 800 175 70 84B -
2SC1224 三菱 SW.PA Si.EP 130 5 800 7W(Tc=25℃) 150 100 132 -
2SC1226 松下 PA Si.EP 40 5 2A 10W(Tc=25℃) 150 120 161 2SA699
2SC1226A 松下 PA Si.EPa 50 5 2A 10W(Tc=25℃) 150 120 161 2SA699A
2SC1227 富士通 SW Si.TMe 300 5 10A 100W(Tc=25℃) 175 50 102 -
2SC1228 富士通 SW Si.TMe 500 5 10A 100W(Tc=25℃) 175 15 102 -
2SC1229 富士通 SW Si.TMe 250 5 10A 100W(Tc=25℃) 175 50 102 -
2SC1230 富士通 SW Si.TMe 450 5 10A 100W(Tc=25℃) 175 15 102 -
2SC1231 富士通 SW Si.E 20 4 200 300 175 60 49C -
2SC1232 富士通 PA Si.E 45 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 133 -
2SC1233 富士通 PA Si.E 45 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 133 -
2SC1235 三洋 RF.PA Si.T 300 4 100 6.5W(Tc=25℃) 150 30-160 99 -
2SC1236 东芝 LN Si.EP 20 2 30 200 175 70 140 -
2SC1237 东芝 PA Si.EMe 85 4 2A 10W(Tc=25℃) 150 40 268 -
2SC1238 三菱 PA Si.EP 35 4 150 5W(Tc=25℃) 175 50 312 -
2SC1239 三菱 PA Si.EP 80 4.5 4A 12.5W(Tc=25℃) 175 50 97B -
2SC1240 三菱 RF Si.EP 40 3 50 350 175 70 138B -
2SC1241 东芝 PA Si.EP 40 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 >10 135 -
2SC1241A 东芝 PA Si.EP 35 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1242 东芝 PA Si.EP 40 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 >10 135 -
2SC1242A 东芝 PA Si.EP 35 3.5 4.5A 20W(Tc=25℃) 175 40 135 -
2SC1243 三菱 SW.PA Si.EP 25 5 1.5A 7W(Tc=25C) 150 100 132 2SA703
2SC1244 三菱 SW Si.EP 30 4 50 200 125 60 138B -
2SC1246 富士通 RF Si.EP 30 5 500 500 175 60-500 138 -
2SC1247 富士通 RF Si.EP 50 5 500 500 175 60-500 138 -
2SC1247A 富士通 AF.PA Si.EP 50 5 500 500 150 160 138 -
2SC1248 日电 LN Si.E 20 3 30 300 150 100 145 -
2SC1249 日电 RF Si.E 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 146A -
2SC1250 日电 RF Si.E 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 146B -
2SC1251 日电 RF Si.E 45 3 300 7W(Tc=25℃) 200 20-200 129 -
2SC1252 日电 RF Si.E 45 3 300 800 200 20-200 84B -
2SC1253 日电 RF Si.E 45 3 300 800 200 20-200 84B -
2SC1254 日电 RF Si.E 45 4 30 250 200 100 50C -
２SC1255 日电 RF Si.E 30 3 100 3.5W(Tc=25℃) 200 100 129 -
2SC1256 日电 PA Si.E 36 4 800 5.5W(Tc=25℃) 200 50 84C -
2SC1257 日电 PA Si.E 36 4 1.5A 14W(Tc=25℃) 200 50 184 -
2SC1258 日电 PA Si.E 36 4 3A 28W(Tc=25℃) 200 50 184 -
2SC1259 日电 PA Si.E 36 4 6A 58.3W(Tc=25℃) 200 50 149 -
2SC1260 日电 RF Si.E 45 4 30 250 200 40-200 50C -
2SC1261 富士通 LN Si.EP 20 3 20 300 150 100 147 -
2SC1262 富士通 RF Si.EP 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 148 -
2SC1263 富士通 RF Si.E 45 3 300 2.8W 50x50x1 150 80 148 -
2SC1264 富士通 RF Si.E 30 3 100 400 150 100 147 -
2SC1265 日电 Diff Si.E 20 3 50 300 175 100 189 -
2SC1266 日电 SW Si.E 100 5.5 1.5A 2W 175 60 83 -
2SC1267 日电 RF Si.E 45 3 300 7W(Tc=25℃) 200 80 129 -
2SC1268 日电 RF Si.E 20 3 50 250 200 100 190 -
2SC1269 日电 RF Si.E 20 3 50 250 200 100 190 -
2SC1270 日电 RF Si.E 20 3 50 250 200 100 190 -
2SC1271 日电 RF Si.E 20 3 30 250 200 100 190 -
2SC1271A 日电 RF Si.E 20 3 30 250 200 100 190 -
2SC1272 日电 RF Si.E 20 3 100 1W 200 80 190 -
2SC1273 日电 RF Si.E 20 3 100 1W(Tc=25C) 175 80 190 -
2SC1274 日电 SW Si.E 40 5 300 300 175 70 49C -
2SC1275 日电 RF Si.E 30 3 50 250 200 80 50C -
2SC1276 日电 RF.SW Si.E 40 5 100 200 125 120 138 -
2SC1277 日电 RF Si.E 60 5 500 250 125 140 138 -
2SC1278 日电 RF.SW Si.E 150 5 50 250 125 120 138 -
2SC1279 日电 RF.SW Si.E 180 5 50 250 125 120 138 -
2SC1280 日电 RF 达林顿 15 10 300 250 125 20,000 138 -
2SC1280A 日电 RF Si.E 40 10 300 250 125 30,000 138 -
2SC1281 冲 RF Si.P 20 5 20 300 175 200 49C -
2SC1282 冲 RF " 70 5 20 300 175 73 49C -
2SC1283 冲 RF " 110 5 20 300 175 73 49C -
2SC1284 三洋 Osc Si.EP 30 3 50 200 125 25-200 138 -
2SC1285 三洋 RF.AF Si 40 5 100 200 125 200 138 -
2SC1288 冲 RF.SW Si.EP 7 3 60 200 175 50 144 -
2SC1290 冲 PA Si.EP 40 3 200 750 175 70 84B -
2SC1292 三菱 PA.SW Si.EMe 300 5 2.5A 80W(Tc=25℃) 150 25 102 -
2SC1293 三洋 RF Si.EP 25 3 50 300 125 15-120 138 -
2SC1295 三洋 PA Si.TMe 1000 7 2A 40W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC1296 三洋 SW Si.T 1300 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 >4 102 -
2SC1297 日电 PA Si.E 50 4 3.5A 50W(Tc=25℃) 175 50 149 -
2SC1298 日电 PA Si.E 50 4 5A 80W(Tc=25℃) 175 50 149 -
2SC1299 富士通 SW Si.TMe 300 5 30A 200W(Tc=25℃) 175 40 191 -
2SC1300 富士通 SW Si.TMe 500 5 30A 200W(Tc=25℃) 175 25 191 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

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型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1301 富士通 SW Si.TMe 250 5 30A 200W(Tc=25℃) 175 40 191 -
2SC1302 富士通 SW Si.TMe 400 5 30A 200W(Tc=25℃) 175 25 191 -
2SC1303 松下 PA Si.EP 40 4 300 600 175 70 84B -
2SC1304 日立 PA Si.T 300 5 500 20W(Tc=25℃) 150 60 153 -
2SC1306 日电 PA Si.E 65 4 3A 12W(Tc=25℃) 150 80 268 -
2SC1307 日电 PA Si.E 70 4 8A 25W(Tc=25℃) 150 20-150 268 -
2SC1308 三洋 SW Si.TMe 1500 6 7A 50W(Tc=25℃) 150 >3 102 水平偏向用
2SC1309 三菱 SW Si.EMe 1200 6 5A 80W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1310 三菱 RF.AF. Si.EP 50 6 200 300 125 250 175 2SA1299
2SC1311 三菱 RF.AF.SW Si.EP 30 4 100 200 125 250 175 -
2SC1312 三菱 RF.AF.LN Si.EP 35 4 100 200 125 500 138B -
2SC1313 三菱 RF.AF.LN Si.EP 50 4 100 200 125 350 138B -
2SC1314 三菱 PA Si.EP 40 4.5 5A 45W(Tc=25℃) 175 30 127 -
2SC1315 三菱 PA Si.EP 35 4.5 500 4W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC1316 Sony PA.SW Si.TMe 750 10 1A 23W(Tc=25℃) 120 8 100 -
2SC1317 松下 PA Si.EP 30 5 500 625 150 160 138 2SA719
2SC1318 松下 PA Si.EP 60 5 500 625 150 160 138 2SA720
2SC1318A 松下 PA Si.EP 80 5 500 400 135 160 138 2SA720A
2SC1319 日电 RF Si.P 40 4 25 ;250 125 90 138 AGC
2SC1320 日电 RF Si.E 50 4 30 250 125 100 138 -
2SC1321 日电 RF.Conv. Si.E 30 4 10 100 125 80 176 -
2SC1322 富士通 SW Si.TMe 250 5 15A 100W(Tc=25℃) 175 50 102 -
2SC1323 三菱 PA Si.EP 30 4 500 5W(Tc=25℃) 175 70 271 -
2SC1324 三菱 PA Si.EP 35 4 150 800 175 70 85B -
2SC1325 日电 SW Si.TMe 1500 6 6A 80W(Tc=25℃) 150 19 102 -
2SC1325A 日电 SW Si.TMe 1500 6 6A 80W(Tc=25℃) 150 19 102 -
2SC1326 松下 PA Si.EP 55 - 400 5W(Tc=25℃) 175 30 84B -
2SC1327 松下 RF,LN Si.EP 35 5 50 400 150 540 138 2SA721
2SC1328 松下 RF,LN Si.EP 55 5 50 400 150 540 138 2SA722
2SC1329 日电 RF Si.E 50 5 8A 60W(Tc=25℃) 200 100 149 -
2SC1330 日电 RF.AF Si.E 50 5 100 400 125 150 44 -
2SC1331 日电 RF.Conv. Si.P 20 3 20 150 150 100 50C -
2SC1333 日电 PA Si.E 45 3 1A 10W(Tc=25℃) 175 20-200 184 -
2SC1334 日电 PA Si.E 45 3 1A 11.6W(Tc=25℃) 200 15-250 184 -
2SC1335 日立 LN Si.EPa 30 5 100 200 125 250-1200 138 -
2SC1336 日电 RF Si.E 20 3 30 250 200 100 190 -
2SC1337 三菱 PA Si.EP 35 4.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC1337A 三菱 PA Si.EP 35 4.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC1338 三菱 PA Si.EP 35 4.5 3A 30W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC1338A 三菱 PA Si.EP 35 4.5 5A 40W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC1339 三菱 PA Si.EP 35 - 5A 40W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC1340 三菱 PA Si.EP 35 4 1A 5W(Tc=25℃) 175 70 312 -
2SC1342 日立 RF.Conv. Si.P 30 4 30 100 150 35-200 138 -
2SC1343 日立 PA.SW Si.T 130 5 10A 100W(Tc=25℃) 150 35-200 102 2SA753
2SC1344 日立 LN Si.EPa 30 5 100 200 150 250-1200 138 -
2SC1345 日立 LN Si.EPa 55 5 100 200 150 250-1200 138 -
2SC1346 松下 PA Si.EP 30 5 500 600 125 160 171 2SA730
2SC1347 松下 PA Si.EP 60 5 500 600 125 160 171 2SA731
2SC1348 Sony SW Si.TMe 1000 - 4A 125W(Tc=25℃) 120 8 102 水平偏向用
2SC1349 富士通 SW Si.EP 20 4 200 200 175 60 46C -
2SC1350 - 25 - 300 300 175 40 TO-18 -
2SC1354 松下 PA Si.EP 55 4 5A 60W(Tc=25℃) 175 50 143 -
2SC1355 富士通 PA Si.EP 40 3.5 700 7W(Tc=25℃) 175 80 159 -
2SC1356 富士通 PA Si.EP 40 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 80 159 -
2SC1357 东芝 PA Si.EP - 　 　
2SC1358 日电 SW Si.TMe 1400 6 4.5A 50W(Tc=25℃) 150 19 102 -
2SC1358A 日电 SW Si.TMe 1400 6 5.5A 50W(Tc=25℃) 150 19 102 -
2SC1359 松下 RF Si.EP 30 5 30 400 150 100 138 2SA838
2SC1360 松下 RF Si.EP 50 4 50 1W 150 50 165 -
2SC1360A 松下 RF Si.EP 60 4 50 1W 150 20-100 165 -
2SC1361 Sony RF.LN Si.PaMe 25 6 200 320 100 200 138 -
2SC1362 Sony RF.LN Si.PaMe 50 6 200- 320 100 200 138 -
2SC1363 Sony RF Si.PaMe 25 6 200 320 100 200 138 -
2SC1364 Sony RF Si.PaMe 50 6 200 320 120 200 138 -
2SC1365 日电 RF Si.E 45 3 300 800 200 80 84B -
2SC1366 日电 RF Si.E 45 3 300 800 200 80 84B -
2SC1367 日立 PA Si.TMe 1000 5 1A 50W(Tc=25℃) 125 45 102 -
2SC1367A 日立 PA Si.TMe 1000 5 1A 50W(Tc=25℃) 125 45 102 -
2SC1368 日立 PA Si.EPa 25 5 2･5A 8W(Tc=25℃) 150 60-320 160 2SA738
2SC1372 富士通 RF.SW Si.EP 30 5 200 200 125 100 138 -
2SC1373 日立 SW Si.EP 25 4 100 300 175 90 49C -
2SC1374 日立 SW Si.EP 25 4 100 300 175 >30 49C -
2SC1375 日立 SW Si.EP 25 4 100 300 175 >54 49C -
2SC1376 日立 SW Si.EP 40 4 500 300 175 65 49C -
2SC1377 东芝 PA Si.E 90 4 6A 20W(Tc=25℃) 150 >20 268 -
2SC1378 东芝 PA Si.E 40 4 4A 35W(Tc=25℃) 175 >10 135 -
2SC1379 东芝 PA Si.E 40 4 7A 70W(Tc=25℃) 175 >10 193 -
2SC1380 东芝 RF Si.E 55 5 100 200 150 200-700 49C -
2SC1380A 东芝 RF.LN Si.E 55 5 100 200 150 200-700 49C -
2SC1381 东芝 RF.PA Si.E 100 5 1A 800 150 70-240 342 -
2SC1382 东芝 RF.PA Si.E 80 5 750 800 150 70-240 342 2SA682
2SC1383 松下 PA Si.EP 30 5 1A 1W 150 160 165 2SA683
2SC1384 松下 PA Si.EP 60 5 1A 1W 150 160 165 2SA684
2SC1385 日立 SW Si.EP 60 5 500 800 175 >35 123 -
2SC1386 日立 SW Si.EP 70 5 1A 800 175 >30 123 -
2SC1387 富士通 RF Si.EP 25 3 150 600 150 100 84B -
2SC1388 富士通 SW Si.EP 100 6 1A 800 200 >15 84C -
2SC1390 日立 RF.LN Si.E 20 3 50 200 125 500 138 -
2SC1391 日立 PA Si.T 300 4 100 6.5W(Tc=25℃) 150 60 153 -
2SC1393 日电 RF.LN Si.E 30 5 20 250 125 100 138C -
2SC1394 日电 RF.Conv. Si.E 30 5 20 250 125 100 138C -
2SC1395 日电 " Si.EP 30 5 20 250 125 100 138 -
2SC1396 日电 " Si.EP 30 5 20 250 125 100 138 -
2SC1398 松下 RF.PA Si.EP 70 5 2A 15W(Tc=25℃) 150 130 268 2SA748
2SC1398A 松下 RF.PA Si.EP 70 5 2A 15W(Tc=25℃) 150 >30 268 -
2SC1399 日电 AF Si.E 100 5 50 250 125 600 138 -
2SC1400 " LN Si.EPa 100 5 50 250 125 500 138 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2SC三极管参数[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1401 富士通 SW Si.TMe 400 5 30A 200W(Tc=25℃) 175 25 191 -
2SC1402 三垦 PA Si.TMe 140 6 8A 70W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA744
2SC1403 三垦 PA Si.TMe 160 6 8A 70W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA745
2SC1403A 三垦 PA Si.TMe 180 6 8A 70W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA745A
2SC1404 松下 PA Si.EP 36 4 3.5A 50W(Tc=25℃) 200 30 229 -
2SC1405 松下 PA Si.EP 36 4 750 10W(Tc=25℃) 175 40 227 -
2SC1406 松下 PA Si.EP 30 5 1A 1W 135 160 173 2SA751
2SC1407 松下 PA Si.EP 60 5 1A 1W 135 160 173 2SA752
2SC1409 日立 PA Si.TMe 200 6 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 100 267 -
2SC1409A 日立 PA Si.TMe 200 6 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 100 267 -
2SC1410 日立 PA Si.TMe 200 6 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1410A 日立 PA Si.TMe 200 6 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1411 富士通 SW Si.EP(双方向) 6 6 50 200 150 100 49C -
2SC1412 富士通 RF Si.EP 45 3 150 600 150 70 84B -
2SC1413 日立 SW Si.T 1200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 水平偏向用
2SC1413A 日立 SW Si.T 1500 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 水平偏向用
2SC1414 富士通 PA Si.EP 40 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 80 159 -
2SC1415 富士通 PA Si.EP 40 3.5 3A 25W(Tc=25℃) 175 80 159 -
2SC1416 东芝 RF Si.EP 55 5 50 200 150 350 195 -
2SC1416A 东芝 RF Si.EP 55 5 50 200 150 350 195 -
2SC1417 日立 RF.Conv. Si.P 20 - 30 100 125 100 37 -
2SC1418 日立 PA Si.T 50 4 2A 20W(Tc=25℃) 150 35-320 267 2SA754
2SC1419 日立 PA Si.T 50 4 2A 20W(Tc=25℃) 150 35-320 268 2SA755
2SC1420 富士通 RF Si.EP 15 3 70 300 150 80 199 -
2SC1421 富士通 RF Si.EP 15 3 30 250 150 80 199 -
2SC1422 富士通 RF Si.EP 15 3 40 250 150 80 199 -
2SC1423 富士通 RF Si.EP 15 3 30 250 150 80 199 -
2SC1424 日电 RF Si.E 30 3 50 250 200 80 50C -
2SC1425 日电 PA Si.E 45 3 1A 11.6W(Tc=25℃) 200 15-250 184 -
2SC1426 日电 RF Si.E 35 3 200 3.5W(Tc=25℃) 200 100 85B -
2SC1427 日电 RF.Conv. Si.E 30 4 10 100 125 120 176 -
2SC1428 日电 " Si.E 50 5 50 150 125 110 176 -
2SC1429 Sony PA Si.E PaMe 16 6 2A 950 120 200 174 -
2SC1430 Sony RF.PA Si.EMe 110 - 1.5A 500 150 100 181 -
2SC1431 Sony RF.PA Si.EMe 110 5 2A 1.5W 150 100 99 -
2SC1432 新日无 SW Si.EP 30 10 300 300 125 40,000 138 2SA796
2SC1433 东芝 PA.SW Si.TMe 600 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 20-300 102 -
2SC1434 东芝 PA.SW Si.TMe 600 5 15A 150W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC1435 东芝 PA.SW Si.TMe 600 5 40A 300W(Tc=25℃) 150 30-300 196 -
2SC1436 三垦 SW Si.TMe 230 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1437 三垦 SW Si.TMe 230 6 50A 200W(Tc=25℃) 150 20 230 -
2SC1438 富士通 RF Si.EP 150 5 50 500 150 35-350 138 -
2SC1439 富士通 RF Si.EP 150 5 50 500 150 35-350 type:150 138 -
2SC1440 三垦 SW Si.TMe 150 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1441 三垦 SW Si.TMe 200 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1442 三垦 SW Si.TMe 150 6 50A 200W(Tc=25℃) 150 20 230 -
2SC1443 三垦 SW Si.TMe 200 6 50A 200W(Tc=25℃) 150 20 230 -
2SC1444 三垦 PA Si.TMe 80 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 80 99 2SA764
2SC1445 三垦 PA Si.TMe 100 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 80 99 2SA765
2SC1446 松下 PA Si.TP 300 5 100 10W(Tc=70℃) 150 70 268 -
2SC1447 东芝 RF.PA Si.T 300 5 150 20W(Tc=25℃) 150 40-170 268 -
2SC1448 东芝 RF.PA Si.TMe 150 5 1.5A 25W(Tc=25℃) 150 75 268 2SA740
2SC1448A 东芝 RF.PA Si.TMe 150 5 1.5A 25W(Tc=25℃) 150 70-140 268 -
2SC1449 日电 PA Si.E 40 5 2A 10W(Tc=25℃) 150 90 225 -
2SC1450 松下 PA Si.Me 150 5 400 20W(Tc=25℃) 150 70 99 2SA766
2SC1451 富士通 RF Si.EP 150 5 50 700 175 35-500 type:150 248 -
2SC1452 富士通 RF Si.EP 150 5 50 700 175 35-500 type:150 248 2SA810
2SC1453 东芝 RF Si.EP 55 5 100 200 150 120 195 -
2SC1454 三垦 PA Si.TMe 300 6 4A 50W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1456 日电 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 80 99 -
2SC1457 日电 RF Si.E 35 3 150 800 200 100 85B -
2SC1458 日电 RF Si.E 20 3 50 300 200 100 130 -
2SC1459 富士通 RF Si.EP 15 3 70 300 175 80 199 -
2SC1460 富士通 RF Si.EP 15 3 30 250 175 80 199 -
2SC1461 富士通 RF Si.EP 15 3 40 250 175 80 199 -
2SC1462 富士通 RF Si.EP 15 3 30 250 175 80 199 -
2SC1463 富士通 SW Si.T 450 5 4A 75W(Tc=25℃) 175 10-80 102 -
2SC1464 富士通 PA Si.EP 50 3.5 500 4W(Tc=25℃) 175 80 84C -
2SC1465 富士通 PA Si.EP 50 3.5 500 7W(rc=25℃) 175 80 231 -
2SC1466 新电元 SW Si.DB 450 4 3A 30W(Tc=25℃) 150 16 204 -
2SC1467 新电元 SW Si.DB 500 4 3A 30W(Tc=25℃) 150 12 204 -
2SC1468 新电元 SW Si.DB 450 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 16 102 -
2SC1469 新电元 SW Si.DB 500 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 12 102 -
2SC1469A 新电元 SW Si.T 500 6 10A 100W(Tc=25℃) 150 12 102 -
2SC1470 新电元 SW Si.DB 450 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 16 266 -
2SC1471 新电元 SW Si.DB 500 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 12 266 -
2SC1471A 新电元 SW Si.T 500 6 30A 200W(Tc=25℃) 155 15 266 -
2SC1472 日立 RF Si.EP 40 10 300 500 150 2000-100000 138 达林顿
2SC1473 松下 PA Si.TP 250 5 70 600 125 120 138 2SA1018
2SC1473A 松下 AF Si.TP 300 7 70 750 150 30-220 138 -
2SC1474 Sony RF.PA Si.PaMe 16 6 2A 750 120 300 259 2SA772
2SC1475 Sony RF.PA Si.PaMe 100 6 1A 750 120 300 259 2SA773
2SC1476 东芝 PA Si.EP 38 - 5A 40W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1477 三垦 SW Si.T 230 6 9A 80W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1478 松下 RF.LN Si.EP 35 5 50 150 175 540 243 -
2SC1478A 松下 RF.LN Si.EP 55 5 50 150 175 540 243 -
2SC1479 富士通 PA Si.EP 36 3.5 500 3W(Tc=25℃) 175 50 84C -
2SC1480 富士通 PA Si.EP 36 3.5 500 7W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1481 富士通 PA Si.EP 36 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1482 富士通 PA Si.EP 36 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1483 富士通 LN Si.EP 20 3 40 300 150 100 214 -
2SC1484 富士通 RF Si.EP 45 3 300 5W(Tc=25℃) 150 80 215 -
2SC1485 富士通 SW Si.T 250 6 125 350 175 90 49C -
2SC1486 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 400 5W(Tc=25℃) 200 80 216 2N5944
2SC1487 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 800 15W(Tc=25℃) 200 80 216 2N5945
2SC1488 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 2A 37.5W(Tc=25℃) 200 80 216 2N5946
2SC1489 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 6A 60W(Tc=25℃) 200 80 217 2N6136
2SC1490 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 1A 12W(Tc=25℃) 200 80 217 2N6080
2SC1491 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 2.5A 31W(Tc=25℃) 200 50 217 2N6081
2SC1492 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 4A 65W(Tc=25℃) 200 50 217 2N6082
2SC1493 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 4A 65W(Tc=25℃) 200 50 217 2N6083
2SC1494 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 6A 80W(Tc=25℃) 200 40 217 2N6084
2SC1495 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 400 2W(Tc=25℃) 200 80 218 2N6256
2SC1498 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 2.5A 45W(Tc=25℃) 200 80 219 -
2SC1499 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 6A 115W(Tc=25℃) 200 60 219 -
2SC1500 摩托罗拉 PA Si.EP 36 4 8A 115W(Tc=25℃) 200 60 219 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2SC三极管参数[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1501 松下 PA Si.TP 300 5 100 10W(Tc=70℃) 150 70 236 -
2SC1503 东芝 PA Si.EP 50 - 3A 30W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1504 三垦 SW Si.TMe 400 6 2A 40W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC1505 日电 PA Si.T 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 80 268 -
2SC1506 日电 PA Si.T 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 80 267 -
2SC1507 日电 PA Si.T 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 80 250 -
2SC1509 松下 PA Si.EP 80 5 500 1W 150 160 165 2SA777
2SC1510 三菱 PA Si.EP 47 4.5 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 209 -
2SC1511 日电 PA Si.E 50 4 3A 50W(Tc=25℃) 175 60 233 -
2SC1512 日电 PA Si.E 50 4 5A 65.2W(Tc=25℃) 175 60 233 -
2SC1513 日立 RF Si.Pa 40 3 300 800 175 35-250 85C -
2SC1514 日立 RF.PA Si.T 300 5 100 1.25W 150 30-200 234 -
2SC1515 日立 SW Si.T 200 5 50 200 125 30-300 138 -
2SC1516 日立 PA.SW Si.E 35 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 60-200 234 -
2SC1517 日立 PA.SW Si.T 50 4 1A 10W(Tc=25℃) 150 160 234 -
2SC1517A 日立 PA.SW Si.E 80 4 1A 10W(Tc=25℃) 150 60-200 234 -
2SC1518 松下 PA Si.EP 25 5 1A 750 135 160 165 -
2SC1519 日电 PA Si.TP 250 7 200 10W(Tc=25℃) 150 90 289 -
2SC1520 日电 PA Si.TP 250 7 200 10W(Tc=25℃) 150 80 290 -
2SC1521 日电 PA Si.TP 250 7 200 10W(Tc=25℃) 150 80 291 -
2SC1522 日电 PA Si.TP 250 7 200 10W(Tc=25℃) 150 90 292 -
2SC1523 日立 RF.PA Si.Pa 40 3 300 3.5W(Tc=25℃) 175 35-250 269 -
2SC1524 富士通 PA Si.EP 50 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1525 富士通 PA Si.EP 50 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1526 富士通 PA Si.EP 50 3.5 3A 25W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1528 三菱 PA Si.EP 40 4.5 2.5A 25W(Tc=25℃) 175 40 271 -
2SC1529 三菱 RF Si.EP 30 4 20 120 150 60 50C -
2SC1530 三菱 PA Si.EP 50 4.5 350 5W(Tc=25℃) 150 50 312 -
2SC1532 东芝 SW Si.TMe 300 5 30A 200W(Tc=25℃) 150 20-100 196 -
2SC1533 富士通 PA Si.EP 45 3.5 500 7W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1534 富士通 PA Si.EP 45 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1535 富士通 PA Si.EP 45 3.5 2A 25W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1536 富士通 PA Si.EP 45 3.5 4A 40W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1537 ROHM RF.Conv.Mix. Si.EP 50 5 30 150 125 330 235 -
2SC1538 ROHM RF.Conv.Mix. Si.EP 50 5 30 150 125 330 235 -
2SC1539 ROHM RF.Conv.Mix. Si.EP 25 5 30 150 125 330 235 -
2SC1540 ROHM RF.Conv.Mix. Si.EP 25 5 30 150 125 330 235 -
2SC1541 ROHM RF.Conv.Mix. Si.EP 40 5 150 300 125 330 235 -
2SC1542 ROHM " Si.EP 25 5 150 300 125 330 235 -
2SC1543 ROHM SW.AF Si.EP 40 5 20 150 125 220 235 -
2SC1544 ROHM SW.AF Si.EP 25 5 20 150 125 220 235 -
2SC1545 ROHM RF.Conv. Si.EP 40 6 300 300 125 10,000 235 -
2SC1546 ROHM RF.Conv.Mix. " 25 6 300 300 125 10,000 235 -
2SC1547 松下 RF Si.P 30 3 20 150 175 100 50C -
2SC1548 东芝 PA Si.EP 50 - 5A 45W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1549 富士通 AF Si.EP 150 5 50 750 175 150 247 -
2SC1550 松下 PA Si.TP 250 5 100 10W(Tc=25℃) 150 100 236 -
2SC1551 东芝 LN Si.EP 20 2 30 200 175 70 237 -
2SC1552 东芝 LN Si.EP 20 3 30 250 175 70 237 -
2SC1553 东芝 LN Si.EP 20 3 30 175 175 100 50C -
2SC1553A 东芝 LN Si.EP 20 3 30 175 175 100 50C -
2SC1554 东芝 RF Si.EP 30 3 120 1.2W(Tc=25℃) 175 100 238 -
2SC1555 东芝 RF Si.EP 30 3 120 1.2W(Tc=25℃) 175 100 239 -
2SC1556 东芝 RF Si.EP 30 3 120 1.2W(Tc=25℃) 175 100 85B -
2SC1557 东芝 PA Si.EP 40 3.5 180 3W(Tc=25℃) 175 150 85B -
2SC1558 东芝 LN Si.EP 15 3 80 250 175 75 237 -
2SC1559 东芝 LN Si.EP 15 3 80 400 175 75 238 -
2SC1560 日电 RF Si.E 25 3 70 580 200 70 306 -
2SC1561 富士通 PA Si.EP 55 3.5 500 7W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1562 富士通 PA Si.EP 55 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1563 富士通 PA Si.EP 55 3.5 2A 25W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1564 富士通 PA Si.EP 55 3.5 4A 40W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1565 松下 PA Si.P 150 5 1A 10W(Tc=90℃) 150 120 236 2SA795
2SC1566 松下 RF Si.TP 250 5 100 4W(Tc=25℃) 150 100 222 -
2SC1567 松下 PA Si.EP 100 5 500 1.2W 150 160 222 2SA794
2SC1567A 松下 PA Si.EP 120 5 500 1.2W 150 160 222 2SA794A
2SC1568 松下 PA Si.EP 18 5 1A 4W(Tc=25℃) 150 200 222 2SA900
2SC1569 东芝 PA Si.T 300 5 150 12.5W(Tc=25℃) 150 40-170 268 -
2SC1570 三洋 LN Si.EP 55 5 100 200 125 160-960 138 -
2SC1571 三洋 LN Si.EP 40 5 100 200 125 160-960 138 -
2SC1572 三菱 RF - 90 5 50 150 125 600 8A -
2SC1573 松下 AF Si.TP 250 7 70 600 135 120 165 2SA879
2SC1573A 松下 AF Si.TP 300 7 70 1W 150 30-220 165 -
2SC1573B 松下 AF Si.TP 400 7 70 1W 150 30-220 165 -
2SC1574 东芝 LN Si.EP 20 2 30 400 175 70 85B -
2SC1576 东芝 SW Si.T 450 6 8A 100W(Tc=25℃) 150 30-150 102 -
2SC1577 三垦 SW Si.TMe 500 6 8A 80W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC1578 三垦 SW Si.TMe 600 6 8A 80W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC1579 三垦 PA Si.TMe 500 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1580 三垦 PA Si.TMe 600 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1581 东芝 PA Si.EP 65 - 7A 80W(Tc=25℃) 175 30 223 -
2SC1582 - PA Si.EP 65 - 13A 140W(Tc=25℃) 175 30 223 -
2SC1583 三菱 Diff.LN Si.EP 50 5 100 200/unit 125 250-800 274B 2只复合管
2SC1584 三垦 PA Si.TMe 150 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA907
2SC1585 三垦 PA Si.TMe 200 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA908
2SC1586 三垦 PA Si.TMe 250 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA909
2SC1587 三菱 PA Si.EP 45 4.5 3A 50W(Tc=25℃) 175 50 224 -
2SC1588 日电 PA Si.E 36 4 300 1.7W(Tc=25℃) 125 55 167B -
2SC1589 日电 PA Si.E 36 4 700 2.5W(Tc=25℃) 150 15-200 167B -
2SC1590 日电 PA Si.E 36 4 1.2A 13.5W(Tc=25℃) 175 15-200 226 -
2SC1591 日电 PA Si.E 36 4 2.5A 30W(Tc=25℃) 175 15-200 226 -
2SC1592 日电 PA Si.E 30 3 100 3.5W(Tc=25℃) 200 100 129 -
2SC1593 日电 RF Si.E 40 3 150 4.375W(Tc=25℃) 200 15-200 129 -
2SC1594 日电 PA Si.E 35 3 200 7W(Tc=25℃) 200 60 129 -
2SC1595 日电 - Si.E 35 3 300 7W(Tc=25℃) 200 60 129 -
2SC1596 富士通 RF Si.EP 150 5 50 450 175 60 55C -
2SC1597 富士通 AF Si.EP 150 5 50 450 175 150 244 -
2SC1600 日电 RF Si.E 40 3 250 4.375W(Tc=25℃) 200 15-200 315 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2SC三极管参数[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1601 新日无 RF.AF.LN Si.EP 35 - 100 200 175 150 243 -
2SC1602 新日无 RF.AF Si.EP 35 - 100 150 125 150 27 -
2SC1603 三菱 PA Si.EP 18 4 600 6W(Tc=25℃) 175 50 312 -
2SC1604 三菱 PA Si.EP 18 4 300 5W(Tc=25℃) 175 40 255 -
2SC1605 三菱 PA Si.EP 35 4.5 3.5A 30W(Tc=25℃) 175 50 113 -
2SC1605A 三菱 RF.PA Si.EP 35 4.5 3.5A 35W(Tc=25℃) 175 10-180 113 -
2SC1606 三菱 PA Si.EP 40 4 600 6W(Tc=25℃) 175 50 271 -
2SC1607 富士通 RF Si.EP 40 3.5 100 180 175 50 50C -
2SC1608 富士通 PA Si.EP 40 3.5 500 5W(Tc=25℃) 175 50 231 -
2SC1609 日电 SW Si.EMe 140 6 25A 120W(Tc=25℃) 175 30 102 -
2SC1610 日电 SW Si.EMe 150 7 10A 100W(Tc=25℃) 175 60 102 -
2SC1613 ROHM SW Si.TP 130 5 30 150 125 56-270 235 -
2SC1614 ROHM SW Si.TP 180 5 30 150 125 56-270 235 -
2SC1615 ROHM SW Si.TP 210 5 30 150 125 56-270 235 -
2SC1617 东芝 PA Si.T 300 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-150 102 水平偏向用
2SC1618 三垦 PA Si.TMe 80 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA807
2SC1619 三垦 PA Si.TMe 100 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 60 102 2SA808
2SC1619A 三垦 PA Si.TMe 120 6 6A 50W(Tc=25℃) 175 60 102 2SA808A
2SC1620 松下 PA Si.EP 36 3 600 10W(Tc=25℃) 175 50 227 -
2SC1621 日电 SW Si.E 25 5 200 150 125 85 176 -
2SC1622 日电 RF.AF Si.E 40 5 100 150 125 500 176 -
2SC1622A 日电 AF Si.E 120 5 50 150 125 500 176 -
2SC1623 日电 RF.AF Si.E 60 5 100 150 125 200 176 -
2SC1624 东芝 PA Si.P 120 5 1A 15W(Tc=25℃) 150 70-240 268 2SA814
2SC1625 东芝 PA Si.P 100 5 1A 15W(Tc=25℃) 150 70-240 268 2SA815
2SC1626 东芝 PA Si.E 80 5 750 15W(Tc=25℃) 150 70-240 268 2SA816
2SC1627 东芝 PA Si.E 80 5 300 600 150 70-240 138 2SA817
2SC1627A 东芝 AF.PA Si.E 80 5 400 800 150 70-240 241 2SA817A
2SC1628 东芝 PA Si.T 180 5 50 1W 150 70-240 249 2SA818
2SC1629 三垦 PA Si.TMe 90 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 1000 102 -
2SC1630 Sony RF Si.E PaMe 175 5 30 750 175 100 181 -
2SC1631 Sony RF.LN Si.PaMe 25 6 200 250 100 200 138 -
2SC1632 Sony RF.LN Si.PaMe 50 6 200 320 120 200 138 -
2SC1633 Sony RF.LN Si.PaMe 25 6 200 320 120 200 138 -
2SC1634 Sony RF.LN Si.PaMe 50 6 200 320 120 200 138 -
2SC1635 富士通 SW Si.EP 70 5 1A 800 175 50 123 -
2SC1636 Sony LN.SW Si.E 50 25 20 300 120 500-2000 138 -
2SC1637 Sony LN.SW Si.E 50 25 20 250 120 66-525 138 -
2SC1638 富士通 RF Si.EP 40 3 300 600 175 100 85C -
2SC1639 ROHM RF.AF Si.EP 25 5 30 250 125 270 138 -
2SC1640 ROHM RF.LN Si.EP 25 5 30 250 125 560 138 -
2SC1641 ROHM RF.AF Si.EP 40 5 150 300 125 390 138 -
2SC1642 ROHM RF.AF Si.EP 25 5 150 300 125 390 138 -
2SC1643 ROHM AF.SW Si.EP 40 5 30 250 125 220 138 -
2SC1644 ROHM AF.SW Si.EP 25 5 30 250 125 220 138 -
2SC1645 ROHM AF Si.EP 40 6 300 300 125 >1000 138 达林顿
2SC1646 ROHM AF Si.EP 25 6 300 300 125 >1000 138 达林顿
2SC1647 ROHM AF.SW Si.EP 50 5 30 250 125 270 138 -
2SC1648 ROHM RF.LN Si.EP 50 5 30 250 125 560 138 -
2SC1649 ROHM SW Si.TP 130 5 30 250 125 56-270 138 -
2SC1650 ROHM SW Si.TP 180 5 30 250 125 56-270 138 -
2SC1651 ROHM SW Si.TP 210 5 30 250 125 56-270 138 -
2SC1652 ROHM AF.SW Si.EP 40 5 500 300 125 82-390 235 2SA874
2SC1653 日电 RF.SW Si.E 150 5 50 150 125 130 176 -
2SC1654 日电 RF.SW Si.E 180 5 50 150 125 100 176 -
2SC1655 日电 RF Si.E 16 3 30 150 175 100 320 -
2SC1655A 日电 RF.LN Si.E 16 3 30 150 175 100 320 -
2SC1656 日电 RF Si.E 10 3 30 150 200 100 320 -
2SC1657 日电 RF.SW Si.E 16 3 30/unit 150/unit 175 100 307A 2只复合管
2SC1658 日电 RF.SW Si.E 10 3 30/unit 150/unit 200 100 307A 2只复合管
2SC1659 日电 RF Si.E 20 3 80 500 200 100 306 -
2SC1660 日电 RF Si.E 20 3 80 500 200 100 306 -
2SC1661 日电 Diff Si.E 20 3 80 500/unit 175 100 308 2只复合管
2SC1662 日电 Diff Si.E 20 3 80 350/unit 175 100 307A 2只复合管
2SC1663 Sony PF.PA Si.E 140 8 500 950 120 60-350 174 2SA835
2SC1664 三垦 PA Si.TMe 70 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 1200 99 -
2SC1664A 三垦 PA Si.TMe 100 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 1000 99 -
2SC1665 日电 RF.LN Si.E 25 3 20 200 175 120 85B -
2SC1666 日电 RF Si.E 40 3 300 600 175 80 85B -
2SC1667 松下 RF.PA Si.EMe 80 5 4A 50W(Tc=25℃) 150 100 102 2SA837
2SC1668 东芝 PA Si.EP 35 3.5 6A 40W(Tc=25℃) 175 40 135 -
2SC1669 东芝 PA Si.T 150 5 1.5A 25W(Tc=25℃) 150 40-240 268 2SA839
2SC1670 Sony AF.RF Si.E 140 8 500 750 120 50-350 259 -
2SC1672 日电 SW Si.EMe 150 6 25A 120W(Tc=25℃) 175 30 102 -
2SC1673 日电 PA Si.E 35 3 300 7W(Tc=25℃) 200 60 129 -
2SC1674 日电 RF.Conv. Si.E 30 4 20 250 125 90 138 -
2SC1675 日电 " Si.E 50 5 30 250 125 90 138 -
2SC1676 东芝 PA Si.EP 50 4 3A 30W(Tc=25℃) 175 40 260 -
2SC1677 东芝 PA Si.E 50 4 5A 45W(Tc=25℃) 175 40 260 -
2SC1678 东芝 PA Si.E 65 4 3A 10W(Tc=25℃) 150 >15 268 -
2SC1679 东芝 PA Si.E 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 30 268 -
2SC1680 东芝 PA Si.EP 35 3.5 2A 15W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1681 东芝 LN Si.EP 60 5 50 200 125 450 33 -
2SC1682 东芝 LN Si.EP 40 5 50 200 125 450 33 -
2SC1683 松下 PA Si.TMe 200 5 500 30W(Tc=25℃) 150 120 268 2SA843
2SC1683A 松下 PA Si.TMe 200 5 500 30W(Tc=25℃) 150 60-200 268 -
2SC1684 松下 RF.AF Si.EP 30 7 100 400 150 250 138 -
2SC1685 松下 RF.AF Si.EP 60 7 100 400 150 250 138 -
2SC1686 松下 RF Si.P 40 4 25 400 150 80 138E -
2SC1687 松下 RF Si.EP 40 4 30 400 150 100 138E -
2SC1688 松下 RF Si.EP 50 4 30 400 150 100 138E -
2SC1689 三菱 PA Si.EP 55 4 3A 45W(Tc=25℃) 175 50 224 -
2SC1698 - 210 - 10A 125W - 1000 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2SC三极管参数[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1703 - - - 600 - 15A 150W - 100 - -
2SC1706 日立 SW Si.T 200 5 50 200 175 30-300 49C -
2SC1707 日立 AF.SW Si.E 40 5 100 200 175 100-500 49C -
2SC1707A 日立 AF.SW Si.E 70 5 100 200 175 100-200 49C -
2SC1708 三菱 AF.LN.RF Si.EP 90 5 50 200 125 250-1200 138B 2SA847
2SC1708A 三菱 AF.LN.RF Si.EP 120 5 50 200 125 250-800 138B 2SA847A
2SC1709 富士通 SW Si.EP 30 5 300 300 150 60 275 -
2SC1710 富士通 RF Si.EP 15 3 130 1W(Tc=25℃) 175 80 261 -
2SC1711 富士通 LN Si.EP 20 3 30 200 175 80 262 -
2SC1711A 富士通 RF Si.EP 20 3 30 200 175 80 262 -
2SC1712 富士通 RF Si.EP 16 3 30 200 175 80 262 -
2SC1713 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 263 -
2SC1714 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 264A -
2SC1715 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 264B -
2SC1716 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200 175 80 264A -
2SC1717 东芝 PA Si.EP 40 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 97C -
2SC1718 东芝 PA Si.EP 35 3.5 4.5A 30W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1719 富士通 RF Si.EP 150 5 50 1W 175 35-500 90 -
2SC1720 富士通 RF Si.EP 150 5 50 1W 175 35-500 90 -
2SC1721 富士通 RF Si.EP 80 5 1A 500 150 35-200 type:70 138 -
2SC1722 日立 PA Si.T 300 5 200 12.5W(Tc=25℃) 150 50-300 268 -
2SC1723 日立 PA Si.T 300 5 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 268 -
2SC1724 东芝 PA Si.EP 35 3.5 800 7.5W(Tc=25℃) 175 100 135 -
2SC1725 东芝 PA Si.EP 35 3.5 1.4A 15W(Tc=25℃) 175 100 135 -
2SC1726 东芝 PA Si.EP 35 3.5 2.8A 30W(Tc=25℃) 175 100 135 -
2SC1727 Sony RF.Conv. Si.E 35 3 25 300 100 50-350 138C AGC
2SC1728 Sony RF.PA Si.E 100 6 1A 950 120 250 174 -
2SC1729 三菱 PA Si.EP 35 4 3.5A 35W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1730 日电 Osc.Mix Si.E 30 5 50 250 125 100 138 -
2SC1731 日电 Diff.SW Si.E 20 3 50 300 200 30-300 309A 2只复合管
2SC1732 日电 Diff.SW Si.E 20 3 50/unit 200/unit 200 30100 309A 2只复合管
2SC1733 日电 Diff. Si.E 30 3 50 300 200 80 310 2只复合管
2SC1734 日立 LN Si.E 40 6 30 100 150 160-500 49C -
2SC1735 三菱 AF.Drive Si.E 100 4 500 800 125 50-300 242 2SA850
2SC1736 三菱 RF.AF Si.EP 50 6 100 500 125 400 138F -
2SC1737 三菱 RF.AF Si.EP 35 6 100 500 125 500 138F -
2SC1738 三菱 RF.AF.LN Si.EP 35 6 100 500 125 600 138F -
2SC1739 ROHM RF.AF Si.EP 20 4 32 250 125 180 138 -
2SC1740 ROHM AF.RF.Osc.SW Si.EP 50 5 100 300 125 120-820 138 2SA933
2SC1741 ROHM AF.SW Si.EP 40 5 500 400 125 82-390 138 2SA854
2SC1741A ROHM AF Si.EP 50 5 500 400 125 82-390 138 -
2SC1742 东芝 LN Si.EP 20 2 30 150 175 120 237 -
2SC1743 东芝 LN Si.EP 20 3 30 175 175 70 280 -
2SC1744 东芝 PA Si.EP 35 3.5 10A 70W(Tc=25℃) 175 50 193 -
2SC1745 东芝 RF.LN Si.EP 60 5 50 150 150 450 49C -
2SC1746 东芝 RF.LN Si.EP 50 5 50 150 150 450 49C -
2SC1746A 东芝 RF.LN Si.EP 50 5 50 150 150 450 49C -
2SC1747 日立 RF Si.EPa 40 3 100 300 175 25-250 50C -
2SC1748 日电 SW Si.T 300 7 100 800 150 60 84C -
2SC1749 三菱 PA Si.TP 300 5 100 10W(Tc=25℃) 150 130 180 -
2SC1752 摩托罗拉 RF Si.E 300 6 500 625 150 125 138D -
2SC1753 摩托罗拉 RF Si.E 200 6 500 625 150 125 138D -
2SC1754 摩托罗拉 RF Si.E 40 12 500 625 150 100k 138 -
2SC1755 三洋 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 268 -
2SC1756 三洋 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 300 -
2SC1757 三洋 PA Si.TP 300 7 200 15W(Tc=25℃) 150 40-200 267 -
2SC1758 日电 RF Si.T 300 7 100 10W(Tc=25℃) 150 120 104 -
2SC1760 Sony RF.PA Si.E 100 6 1A 950 - 250 174B -
2SC1761 Sony RF.PA Si.E 20 6 2A 950 120 320 174B 2SA861
2SC1762 Sony SW Si.T 700 12 300 470 150 50 181 2SA911
2SC1763 东芝 PA Si.EP 65 4 7A 80W(Tc=25℃) 175 >10 281 -
2SC1764 东芝 PA Si.EP 65 4 12A 140W(Tc=25℃) 175 >10 281 -
2SC1765 东芝 PA Si.EP 35 3.5 800 7.5W(Tc=25℃) 175 >10 97C -
2SC1766 日立 AF Si.EPa 30 15 100 310 125 600 138D 2SA1033
2SC1768 三垦 PA Si.TMe 200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 1000 102 -
2SC1769 新日无 RF.LN Si.EP 30 5 50 200 125 250 138D -
2SC1770 新日无 RF.AF Si.EP 30 5 200 300 125 250 138D -
2SC1771 新日无 RF Si.EP 60 5 200 300 125 250 138D -
2SC1772 新日无 RF Si.EP 95 5 50 300 125 250 138 -
2SC1773 新日无 RF Si.EP 30 5 400 500 125 200 138D -
2SC1774 新日无 RF Si.EP 60 5 400 500 125 200 138D -
2SC1775 日立 RF Si.E 90 5 50 300 125 400-1200 138 2SA872
2SC1775A 日立 RF Si.E 120 5 50 300 125 400-1200 138 2SA872A
2SC1776 富士通 RF Si.EP 60 6 200 300 150 150 275 -
2SC1777 三垦 PA Si.EMe 70 6 6A 50W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC1778 松下 RF.Conv.Osc Si.P 25 3 15 400 150 50 138E -
2SC1779 松下 RF Si.P 30 3 20 400 150 50 138E AGC
2SC1780 松下 RF Si.EP 25 3 15 150 125 50 278 -
2SC1781 日立 RF Si.E 70 5 500 350 175 80-240 49C -
2SC1782 三垦 PA Si.TMe 140 6 10A 100W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC1783 三垦 PA Si.TMe 180 6 10A 100W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC1784 三垦 PA Si.TMe 150 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1785 三垦 PA Si.TMe 200 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1786 三垦 PA Si.TMe 230 6 15A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC1787 松下 RF.LN Si.EP 35 5 30 150 125 540 276 2SA880
2SC1788 松下 PA Si.EP 25 7 500 625 150 160 138 2SA1128
2SC1789 松下 RF.Mix. Si.EP 25 3 50 400 150 100 138 -
2SC1790 日电 RF Si.EP 25 3 15 150 175 50 50C -
2SC1791 日电 PA Si.E 45 4 1A 11W(Tc=25℃) 200 60 184 -
2SC1792 日电 PA Si.E 45 4 2A 22W(Tc=25℃) 200 60 184 -
2SC1793 - 45 - 4A 42W 175 15-250 StX-M4 -
2SC1797 日电 PA Si.E 50 3.5 300 6W(Tc=25℃) 200 60 118B -
2SC1798 日电 PA Si.E 50 3.5 1A 11.6W(Tc=25℃) 200 60 118B -
2SC1799 日电 PA Si.E 50 3.5 2A 19.5W(Tc=25℃) 200 60 118B -
2SC1800 日电 PA Si.E 50 3.5 3A 29W(Tc=25℃) 200 60 118B -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

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型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1801 新日无 RF Si.EP 30 3 30 150 125 60 138D -
2SC1802 新日无 RF Si.EP 30 3 20 150 125 60 138 -
2SC1803 日电 RF.LN Si.E 30 3 130 580 200 100 306 -
2SC1804 三菱 PA Si.EP 47 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 273 -
2SC1805 三菱 PA Si.EP 45 4 2A 30W(Tc=25℃) 175 50 273 -
2SC1806 三菱 PA Si.EP 45 4 4A 50W(Tc=25℃) 175 50 273 -
2SC1807 三菱 RF.PA Si.EP 18 4 0.1A 300 175 10-180 50C -
2SC1808 三菱 RF.PA Si.EP 35 3.5 1A 10W(Tc=25℃) 175 10-180 312 -
2SC1809 ROHM RF.Mix.Osc.Conv Si.EP 25 4 20 150 125 39-180 138 -
2SC1810 Sony PA Si.T 700 12 300 950 120 50 174B -
2SC1811 Sony RF Si.E 240 5 100 750 120 150 259 2SA896
2SC1812 Sony RF Si.E 22 3 20 210 100 80 305A AGC
2SC1813 Sony RF Si.E PaMe 50 5 500 500 120 200 138D -
2SC1814 东芝 RF Si.E PaMe - - -
2SC1815 东芝 AF Si.E 60 5 150 400 125 70-700 138 2SA1015
2SC1816 Sony RF.PA Si.E 100 6 4A 16W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1817 Sony PA Si.E 45 4 5A 25W(Tc=25℃) 150 60 268 -
2SC1818 松下 PA Si.EMe 130 5 7A 100W(Tc=25℃) 150 150 102 -
2SC1819 松下 PA Si.TP 300 5 100 15W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1820 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 500 3W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC1821 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 500 7W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1822 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 1A 12W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1823 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 2A 25W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1824 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 4A 40W(Tc=25℃) 175 50 246 -
2SC1825 富士通 RF.PA Si.EP 55 3.5 8A 75W(Tc=25℃) 175 50 329 -
2SC1826 三垦 PA Si.TMe 80 6 4A 30W(Tc=25℃) 150 100 298 -
2SC1827 三垦 PA Si.TMe 100 6 4A 30W(Tc=25℃) 150 100 298 -
2SC1828 三垦 PA Si.TMe 800 6 1A 40W(Tc=25℃) 150 70 99 -
2SC1829 三垦 PA Si.TMe 200 6 5A 100W(Tc=25℃) 150 1000 102 -
2SC1830 三垦 PA Si.TMe 140 7 15A 150W(Tc=25℃) 150 >500 102 达林顿
2SC1831 三垦 PA Si.TMe 90 6 8A 100W(Tc=25℃) 150 1000 102 达林顿
2SC1832 三垦 PA Si.TMe 500 6 15A 150W(Tc=25℃) 150 300 102 达林顿
2SC1833 日电 RF.SW Si.E 60 8 200 300 150 160 138 -
2SC1834 日电 RF.SW Si.E 40 5 200 300 150 120 138 -
2SC1835 - 25 - 1A 8W 175 180 - -
2SC1836 - 25 - 5A 30W 175 180 - -
2SC1837 富士通 PA Si.EP 35 3.5 600 7.5W(Tc=25℃) 175 50 166 -
2SC1838 富士通 PA Si.EP 35 3.5 1.5A 15W(Tc=25℃) 175 50 166 -
2SC1840 日电 AF Si.E 40 5 100 500 125 400 138 -
2SC1841 日电 AF Si.E 120 5 50 500 125 600 138 -
2SC1842 日电 RF.LN Si.E 40 - 100 250 125 500 138 -
2SC1843 日电 RF.LN Si.E 60 - 100 250 125 400 138 -
2SC1844 日电 AF.LN Si.E 60 5 100 500 125 400 138 2SA991
2SC1845 日电 AF.LN Si.E 120 5 50 500 125 600 138 2SA992
2SC1846 松下 PA Si.EP 45 5 1A 1.2W 150 160 222 2SA885
2SC1847 松下 PA Si.EP 50 5 1.5A 1.2W 150 120 222 2SA886
2SC1848 松下 PA Si.EP 70 5 2A 1.2W 150 130 161 2SA887
2SC1849 松下 RF.AF Si.EP 30 5 100 350 135 250 138D -
2SC1850 松下 RF.AF Si.EP 60 5 100 350 135 250 138D -
2SC1851 松下 PA Si.EP 30 5 500 625 135 160 138D 2SA890
2SC1852 松下 PA Si.EP 60 5 500 625 135 160 138D 2SA891
2SC1853 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 5 30 250 125 250 138 -
2SC1854 松下 RF.AF Si.EP 30 5 50 250 125 200 138 -
2SC1855 日立 RF Si.Pa 20 3 20 250 150 20-200 138C AGC
2SC1856 日立 RF Si.Pa 20 3 20 250 150 20-200 138C AGC
2SC1857 日立 RF Si.T 300 5 100 800 150 100 84B -
2SC1859 Sony RF Si.E PaMe 25 5 1.5A 500 120 180 138 -
2SC1860 日电 SW Si.E 150 7 2A 800 150 70 84B -
2SC1861 日电 SW Si.E 300 7 2A 800 150 60 84B -
2SC1862 日电 SW Si.T 450 7 2A 800 150 40 84B -
2SC1863 日电 SW Si.EMe 150 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 >20 134 -
2SC1864 日电 SW Si.EMe 300 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 >20 134 -
2SC1864A 日电 SW Si.EMe 300 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 30 134 -
2SC1865 日电 SW Si.TMe 450 7 7A 40W(Tc=25℃) 150 >15 134 -
2SC1866 日电 SW Si.TMe 150 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1867 日电 SW Si.TMe 300 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1867A 日电 SW Si.TMe 300 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC1868 日电 SW Si.TMe 450 7 7A 80W(Tc=25℃) 150 >15 102 -
2SC1869 日电 SW Si.TMe 150 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1870 日电 SW Si.TMe 300 - 10A 100W(Tc=25℃) 150 >20 102 -
2SC1871 日电 SW Si.EMe 450 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 >15 102 -
2SC1871A 日电 SW Si.TMe 500 7 10A 100W(Tc=25℃) 150 >15 102 -
2SC1872 日电 SW Si.TMe 150 7 30A 200W(Tc=25℃) 175 30-120 106 -
2SC1873 日电 SW Si.TMe 300 7 30A 200W(Tc=25℃) 175 20-120 106 -
2SC1874 日电 SW Si.TMe 500 7 30A 200W(Tc=25℃) 175 20-80 106 -
2SC1875 日电 SW Si.TMe 1500 6 3.5A 50W(Tc=25℃) 150 19 102 -
2SC1876 日立 RF.SW Si.E 100 7 500 800 175 >2000 84B 达林顿
2SC1879 日立 RF.SW Si.E 120 7 2A 800 175 >1000 84B 达林顿
2SC1880 日立 RF.SW Si.E 120 7 2A 15W(Tc=25C) 150 4000 268 达林顿
2SC1881 日立 RF.SW Si.E 60 7 3A 30W(Tc=25℃) 150 >1000 268 达林顿
2SC1882 日立 RF.SW Si.E 120 12 5A 800 175 5000 85B 达林顿
2SC1883 日立 RF.SW Si.E 120 7 5A 30W(Tc=25℃) 150 4000 268 达林顿
2SC1884 日立 RF.SW Si.E 120 7 8A 40W(Tc=25℃) 150 >1000 153 达林顿
2SC1885 松下 RF Si.EP 150 5 50 750 135 150 165 -
2SC1886 日立 RF.Mix.Osc Si.EP 30 2 50 200 125 80 138 -
2SC1887 日立 RF.Osc Si.EP 30 2 50 200 125 80 138 -
2SC1888 三垦 PA Si.TMe 80 6 3A 800 150 1000 84B -
2SC1889 三垦 PA Si.TMe 100 6 3A 800 150 1000 84B -
2SC1890 日立 AF Si.E 90 5 50 300 150 250-1200 138 2SA893
2SC1890A 日立 AF Si.E 120 5 50 300 125 250-1200 138 -
2SC1891 东芝 PA Si.TMe 1200 5 1.5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1892 东芝 PA Si.TMe 1500 5 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1893 东芝 PA Si.TMe 1500 5 3.5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1894 东芝 PA Si.TMe 1500 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1895 东芝 PA Si.TMe 1500 5 6A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1896 东芝 PA Si.TMe 1500 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 20 102 水平偏向用
2SC1897 新日无 RF Si.EP 30 6 1A 600 125 200 138 -
2SC1898 新日无 RF Si.EP 30 4 30 200 125 90 138C -
2SC1899 新日无 RF Si.P 30 4 20 200 125 90 138C -
2SC1900 新日无 RF.LN Si.P 120 6 50 300 125 300 138 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2SC三极管参数[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC1901 富士通 RF Si.EP 25 3 20 200 175 150 84C -
2SC1902 富士通 RF Si.EP 40 3 300 500 175 80 84C -
2SC1903 富士通 AF.RF Si.EP 150 5 50 1W 150 150 328 -
2SC1904 富士通 AF.RF Si.EP 150 5 50 1W 150 150 328 -
2SC1905 松下 PA Si.TP 350 7 200 15W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1906 日立 RF.Conv. Si.EP 30 2 50 300 150 >40 138 -
2SC1907 日立 Osc.RF Si.EP 30 2 50 300 150 >40 138 -
2SC1908 Sony RF Si.E 30 4 30 500 120 80 138 2SA925
2SC1909 日电 PA Si.E 75 4 3A 10W(Tc=25℃) 150 60 268 -
2SC1910 东芝 Diff Si.EP 15 2 80 200/unit 175 75 282A -
2SC1911 东芝 Diff Si.EP 20 2 30 150/unit 175 80 282A -
2SC1912 东芝 Diff Si.EP 20 2 30 150/unit 175 80 282B -
2SC1913 松下 RF Si.EP 150 5 1A 15W(Tc=25℃) 150 150 268 2SA913
2SC1913A 松下 PA Si.E 180 5 1A 15W(Tc=25℃) 150 65-330 268 2SA913A
2SC1914 三菱 AF.RF Si.EP 90 5 50 200 125 250-1200 138B -
2SC1914A 三菱 AF.RF Si.EP 120 5 50 200 125 250-800 138B -
2SC1915 三菱 AF.RF Si.EP 120 5 50 800 135 150-800 242 2SA905
2SC1916 三菱 RF.AF.LN Si.EP 50 5 100 200 125 500 138 -
2SC1917 三菱 RF.AF.LN Si.EP 35 5 100 200 125 500 138 -
2SC1918 三菱 RF.AF Si.EP 35 5 100 200 125 500 138 -
2SC1919 三菱 LN Si.EP 50 5 30 200 125 250-1200 138B -
2SC1920 东芝 Diff Si.EP 15 2 80 200/unit 175 75 282B -
2SC1921 日立 RF Si.T 250 5 50 600 150 30-300 251 -
2SC1922 日立 SW Si.T 1500 6 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 水平偏向用
2SC1923 东芝 RF.Conv. Si.EP 40 4 20 100 125 40-200 138 -
2SC1924 日电 DifF.SW Si.E 20 3 50 300 200 30-300 309B 2只复合管
2SC1925 日电 DifF.SW Si.E 20 3 50 300 200 30-300 309A 2只复合管
2SC1926 日电 DifF.SW Si.E 30 3 50 200/unit 200 80 309B 2只复合管
2SC1927 日电 DifF.SW Si.E 30 3 50 300 200 80 309A 2只复合管
2SC1928 Sony RF Si.E 50 25 50 315 120 400 38 -
2SC1929 松下 PA Si.P 300 6 400 25W(Tc=25℃) 150 150 268 -
2SC1930 富士通 RF Si.EP 16 3 30 150 175 80 284 -
2SC1930A 富士通 RF Si.EP 16 3 30 150 175 80 284 -
2SC1931 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 150/unit 175 80 263 -
2SC1932 富士通 Diff Si.EP 16 3 30 200/unit 175 80 264A -
2SC1933 富士通 Diff Si.EP 15 3 40 200/unit 175 80 263 -
2SC1934 富士通 Diff Si.EP 20 3 80 500/unit 175 80 285 -
2SC1935 富士通 RF Si.EP 15 3 30 250 175 80 284 -
2SC1936 富士通 Diff Si.EP 15 3 30 200/unit 175 80 263 -
2SC1937 富士通 RF Si.EP 15 3 70 300 175 80 284 -
2SC1938 富士通 Diff Si.EP 15 3 30 200/unit 175 80 264B -
2SC1939 富士通 Diff Si.EP 15 3 30 200/unit 175 80 264A -
2SC1940 日电 PA Si.E 120 5 50 1W 150 200 278 2SA915
2SC1941 日电 PA Si.E 160 5 50 1W 150 200 278 2SA916
2SC1942 日立 SW Si.T 1500 6 3A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 水平偏向用
2SC1943 三菱 PA Si.EP 35 4 400 3W(Tc=25℃) 175 50 255 -
2SC1944 三菱 PA Si.EP 80 5 6A 20W(Tc=25℃) 150 50 301B -
2SC1945 三菱 PA Si.EP 80 5 6A 20W(Tc=25℃) 150 50 301A -
2SC1946 三菱 PA Si.EP 35 4 7A 50W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1946A 三菱 RF.PA Si.EP 35 4 7A 50W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1947 三菱 PA Si.EP 35 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC1948 日电 RF.LN Si.E 15 3 20 150 200 80 339 -
2SC1949 日电 RF.LN Si.E 30 3 130 580 200 100 306 -
2SC1950 日电 RF.PA Si.E 28 3 200 5W(Tc=25℃) 200 40 311 -
2SC1951 Sony RF Si.E 120 5 100 750 120 150 259 2SA917
2SC1952 日电 RF.LN Si.E 45 3 300 800 200 80 84B -
2SC1953 松下 AF.PA Si.EP 150 5 100 1W 150 65-450 222 2SA914
2SC1954 富士通 RF Si.EP 25 3 150 450 150 100 138 -
2SC1955 东芝 PA Si.EP 35 3.5 800 7.5W(Tc=25℃) 175 >10 84B -
2SC1956 东芝 PA Si.EP 35 3.5 3.5A 35W(Tc=25℃) 175 50 135 -
2SC1957 日电 PA Si.E 75 4 1A 750 150 90 225 -
2SC1959 东芝 AF.SW Si.E 35 5 500 500 150 70-240 138 2SA562
2SC1960 富士通 SW Si.EP 20 4 200 uJ0 150 60 275 -
2SC1961 Sony RF Si.E 35 3 25 300 100 100 138C -
2SC1962 Sony PA Si.EPa 200 8 500 1950 120 70-350 174 -
2SC1963 Sony RF Si.PaMe 25 6 200 270 120 300 277 2只复合管
2SC1964 三菱 PA Si.EP 80 4 3.5A 12.5W(Tc=25℃) 150 50 301B -
2SC1965 三菱 PA Si.EP 35 4 1A 15W(Tc=25℃) 175 50 97B -
2SC1965A 三菱 PA Si.E 40 4 2A 15W(Tc=25℃) 175 50 97B -･ケ-ス接续
2SC1966 三菱 PA Si.EP 35 3.5 1A 10W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1967 三菱 PA Si.EP 35 4 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1968 三菱 PA Si.EP 35 4 5A 40W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1968A 三菱 PA Si.EP 35 4 5A 40W(Tc=25℃) 175 50 272 -
2SC1969 三菱 PA Si.EP 60 5 6A 20W(Tc=25℃) 150 50 301B -
2SC1970 三菱 PA Si.EP 40 4 600 5W(Tc=25℃) 150 50 301B -
2SC1971 三菱 PA Si.EP 35 4 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 50 301A -
2SC1972 三菱 PA Si.EP 35 4 3.5A 25W(Tc=25℃) 150 50 301A -
2SC1973 松下 RF.PA Si.EP 55 4 500 1W 150 20-200 165 -
2SC1974 松下 PA Si.EP 80 4 2A 15W(Tc=25℃) 150 60 268 -
2SC1975 松下 PA Si.EP 120 5 2A 15W(Tc=25℃) 150 100 268 -
2SC1976 松下 RF.PA Si.EP 36 4 ICM 500 750 135 70 165 -
2SC1977 松下 RF.PA Si.EP 36 4 ICM 1A 5W(Tc=25℃) 150 50 222 -
2SC1978 松下 RF.PA Si.EP 36 4 ICM 1.5A 15W(Tc=25℃) 150 80 268A -
2SC1980 松下 LN Si.EP 120 5 50 150 125 260-1040 138 2SA921
2SC1981 Sony AF.SW Si.E 50 30 100 300 120 500-2000 49C -
2SC1982 Sony RF Si.PaMe 140 6 1A 625 150 120 181 -
2SC1983 三垦 PA Si.TMe 80 6 3A 30W(Tc=25℃) 150 700 298 -
2SC1984 三垦 PA Si.TMe 100 6 3A 30W(Tc=25℃) 150 700 298 -
2SC1985 三垦 PA Si.TMe 80 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 100 298 2SA770
2SC1986 三垦 PA Si.TMe 100 6 6A 40W(Tc=25℃) 150 100 298 2SA771
2SC1987 日立 PA Si.T 300 10 6A 50W(Tc=25℃) 150 50 153 -
2SC1988 日电 RF Si.E 25 3 70 350 200 70 50C -
2SC1989 松下 RF Si.EP 30 3 30 150 125 100 138 -
2SC1990 松下 RF Si.EP 30 3 15 150 125 100 138 -
2SC1991 日电 RF Si.E 60 5 100 625 150 170 138D -
2SC1992 日电 RF.AF Si.E 50 6 100 300 150 235 138F -
2SC1993 日电 RF.AF Si.E 30 5 100 300 150 290 138F -
2SC1994 日电 RF.AF.LN Si.E 45 5 100 300 150 380 138F -
2SC1995 日电 RF.AF.LN Si.E 50 5 100 300 150 380 138F -
2SC1996 日电 RF Si.E 50 5 800 625 150 200 138F -
2SC1997 日电 RF Si.E 30 5 800 625 150 200 138F -
2SC1998 日电 RF.AF Si.E 80 6 100 500 150 140 138 -
2SC1999 日电 RF.AF Si.E 50 6 100 500 150 140 138 -
2SC2000 日电 RF Si.E 60 5 200 600 150 90 138 -

晶体管参数表说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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