A1015中文资料参数

 

本译文译自FAIRCHILE公司 东芝 飞利浦的1015特性与之基本相同 　

命名：2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015

2SA1015代换型号：2SA608 管脚排列一是样的

       A1015三极管 排列引脚图

主要参数：

 

Symbol符号	Parameter 参数	Value数值	Units单位
VCBO	Collector-Base Voltage 集电极-基极电压	-60	V
VCEO	Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压	-50	V
VEBO	Emitter-Base Voltage 射极-基极电压	-5	V
IC	Collector Current 集电极电流	-150	mA
IB	Base Current 基极电流	-50	mA
PC	Collector Power Dissipation 耗散功率	400	mW
TJ	Junction Temperature 结温838电子	125	℃
TSTG	Storage Temperature 贮藏温度	-65 ~ 150	℃

 

 

电参数：

 

Symbol 符号	Parameter 参数	Test Condition 测试条件	Min 最小	Typ 平均	Max 最大	Units 单位
BVCBO	Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压	IC= -100μA, IE=0	-50	-	-	V
BVCEO	Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压	IC= -10mA, IB=0	-50	-	-	V
BVEBO	Emitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压	IE= -10μA, IC=0	-5	-	-	V
ICBO	Collector Cut-off Current 集电极截止电流	VCB=60V, IE=0	-	-	-0.1	μA
IEBO	Emitter Cut-off Current 射极截止电流	VEB=5V, IC=0	-	-	-0.1	μA
hFE1 hFE2	DC Current Gain直流电流增益	VCE=6V, IC=2mA VCE=6V, IC=150mA	70 25	-	400	-
VCE(sat)	Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压	IC=100mA, IB=10mA	-	-0.1	-0.3	V
VBE (sat)	Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压	IC=100mA, IB=10mA	-	-	-1.1	V
fT	Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽	VCE=10V, IC=1mA	80	-	-	MHz
Cob	Output Capacitance 输出电容	VCB=10V, IE=0, f=1MHz	-	4.0	7.0	pF
NF	Noise Figure 噪声系数	VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz	-	0.5	6.0	db

 

 

 放大倍数：

 

后缀符号	O	Y	GR
放大倍数	70-140	120-240	200-400

 

 

A1015特性曲线：

                        静态特性曲线

             基极-发射饱和电压曲线 集电极-射极饱和电压曲线
 

                         传输特性曲线

                     输出电容曲线

                                              电流增益带宽曲线

                       直流电流增益曲线

                    外形封装图