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2SC01-2SC1000三极管参数表

时间:2009-02-12 14:38:06

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC11 东芝 SW Ge.A 18 12 24 55 75 44 12A -
2SC12 东芝 SW Si.Me 60 8 250 180 150 20 84A -
2SC13 东芝 SW Ge.A 18 12 40 65 75 48 84A -
2SC14 东芝 SW Ge.A 18 12 40 65 75 48 84A -
2SC15 Sony RF Si.Me 30 5 50 750 175 30 84C -
2SC16 东芝 SW Si.P 25 5 30 250 175 25 49C -
2SC16A 东芝 SW Si.P 25 5 50 250 175 30 49C -
2SC17 东芝 RF Si.P 20 - 50 250 175 - 49C -
2SC17A 东芝 RF Si.P 25 - 30 250 175 - 49C -
2SC18 东芝 RF Si.P 25 2 30 250 175 12 49C -
2SC19 东芝 SW Si.P 40 5 400 600 150 50 84A -
2SC20 东芝 RF Si.P 40 3 400 600 150 - 84A -
2SC21 东芝 SW Si.P 60 5.5 2A 60W(Tc=25℃) 150 25 102 -
2SC22 日电 RF Si.E 75 5 600 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC23 日电 RF Si.E 75 5 500 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC24 日电 RF Si.E 100 5 500 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC25 松下 RF.IF.Conv.Mix.Osc Si.Me 60 - 60 500 150 - 84B -
2SC26 富士通 RF Si.Me 60 - 100 500 150 - 79 -
2SC27 富士通 RF Si.EP 60 5 100 650 175 - 84C -
2SC28 富士通 RF Si.EP 40 5 50 225 150 - 84C -
2SC29 富士通 RF Si.EP 40 5 25 115 150 - 84C -
2SC30 日电 RF Si.E 60 5 80 500 150 - 84B -
2SC31 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 - 84B -
2SC32 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 - 84B 2SA544
2SC32A 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 - 84B -
2SC33 日电 RF Si.E 45 3 150 150 150 - 50C -
2SC34 松下 SW Ge.A 20 20 250 140 75 30 20 -
2SC35 松下 SW Ge.A 20 20 400 140 75 65 20 -
2SC36 松下 SW Ge.A 20 20 400 140 75 100 20 -
2SC37 日电 RF.IF.Conv.Mix.PA Si.E 40 3 200 200 175 - 84B -
2SC38 日电 RF.IF.Conv.Mix.Osc. Si.E 40 3 200 750 175 - 84B -
2SC39 富士通 RF Si.Me 25 3 50 250 150 - 49C -
2SC39A 富士通 RF Si.P 25 3 50 250 150 - 49C -
2SC40 富士通 RF Si.Me 25 3 50 250 150 - 49C -
2SC41 Sony RF Si.Me 150 - 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC42 Sony RF Si.Me 150 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC42A Sony RF Si.Me 200 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 103 -
2SC43 Sony RF Si.Me 100 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC44 Sony RF Si.Me 50 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 28 103 -
2SC45 日电 RF Si.P 45 - 100 500 150 50 84B -
2SC46 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 60 5 300 600 150 50 84C -
2SC47 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 40 5 300 600 150 50 84C -
2SC48 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 120 5 300 600 150 50 84C -
2SC49 日电 RF.IF.Conv.Mix.Osc Si.E 120 6 300 800 175 60 84B -
2SC50 松下 RF.Conv.Mix.Osc Ge.A 20 20 200 100 75 - 20 -
2SC51 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.Me 60 5 300 1W 150 50 80 -
2SC52 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.P 40 5 100 500 150 50 84C -
2SC53 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.P 25 3 100 600 150 50 84C -
2SC54 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.P 40 5 100 300 150 50 49C -
2SC55 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.P 25 3 100 360 150 50 49C -
2SC56 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 3 25 200 120 - 30 -
2SC57 日电 PA Si.Me 75 4 500 13W(Tc=25℃) 175 30 83 -
2SC58 松下 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.Me 60 1.5 60 600 175 50 84A -
2SC58A 松下 RF.IF.Conv.Mix.Osc.PA Si.Me 140 1.5 60 600 175 50 84A -
2SC59 日电 RF Si.E 120 6 300 800 175 35 84B -
2SC60 三洋 RF Ge.A 20 10 20 100 85 - 12B -
2SC61 富士通 RF.IF.Conv.Mix.Osc.SW Si.Me 30 5 300 1.2W 175 50 80 -
2SC62 日立 SW Si.P 40 5 50 360 175 100 49C -
2SC63 日电 SW Si.Me 25 3 50 300 150 40 49C -
2SC64 三洋 RF Si.Me 80 2 50 600 175 - 84B -
2SC65 三洋 RF Si.Me 150 4 50 600 175 30 84B -
2SC66 三洋 RF Si.Me 150 2 50 600 175 - 84B -
2SC67 日电 SW Si.E 40 5 200 360 175 80 49C -
2SC68 日电 SW Si.E 40 5 200 360 150 100 49C -
2SC69 日电 RF Si.E 120 6 300 800 175 50 84B -
2SC70 东芝 RF Si.TMe 180 - 20 800 150 - 84A -
2SC71 东芝 SW Ge.A 18 12 200 150 85 100 84A -
2SC72 东芝 SW Ge.A 18 12 200 150 85 100 84A -
2SC73 Sony RF.Conv.Mix.Osc Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S132 2T73
2SC74 东芝 RF Si.P 30 5 100 360 175 - 84A -
2SC75 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S133 2T75
2SC76 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S134 2T76
2SC77 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S135 2T77
2SC78 Sony RF.Conv.Mix.Osc Ge.G 15 - 5 30 75 - 18 2S136 2T78
2SC79 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.Me 15 3 50 300 175 - 49C -
2SC80 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 30 3 80 200 175 - 50C -
2SC81 三菱 PA Si.Me 50 - 5A 125W(Tc=25℃) 150 30 108 -
2SC82 三菱 PA Si.Me 100 - 5A 125W(Tc=25℃) 150 30 108 -
2SC83 三菱 PA Si.Me 150 - 5A 125W(Tc=25℃) 150 30 108 -
2SC84 三菱 SW Ge.A 25 20 200 120 85 40 12A -
2SC85 三菱 SW Ge.A 25 20 400 120 85 30 12A -
2SC86 三菱 SW Ge.A 25 20 400 120 85 60 12A -
2SC87 富士通 RF.Conv.Mix.Osc.SW.PA Si.Me 30 3 100 600 175 50 84C -
2SC88 富士通 RF.Conv.Mix.Osc.SW.PA Si.Me 120 3 100 600 175 50 84C -
2SC89 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 20-100 84A -
2SC90 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 20-120 84A -
2SC91 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 30-200 84A -
2SC92 日电 PA Si.E 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 175 35 83 -
2SC93 日电 PA Si.E 80 5 2A 20W(Tc=25℃) 175 35 83 -
2SC94 日电 PA Si.E 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 175 35 83 -
2SC95 东芝 RF.PA Si.Me 140 - 100 800 150 - 84A -
2SC96 东芝 チョッパ Si.EP 25 5 150 500 175 60 88A 2只复合管
2SC97 日电 RF.SW Si.E 60 5 1A 800 175 60 84B -
2SC97A 日电 RF.SW Si.E 80 5 1A 800 175 80 123 2SA571
2SC98 松下 SW Si.EP 20 5 100 300 175 45 49C -
2SC99 松下 SW Si.EP 20 5 100 300 175 80 49C -
2SC100 日电 RF.SW Si.E 40 5 200 150 200 60 23 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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[!--empirenews.page--]2sc三极管参数资料[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC101 东芝 RF Si.Me 60 5.5 2A 60W(Tc=25℃) 150 - 101 -
2SC101A 东芝 RF Si.TMe 70 5 5A 30W(Tc=25℃) 150 - 101 -
2SC102 东芝 RF Si.TMe 50 - 7A 100W(Tc=25℃) 150 - 109 -
2SC103 东芝 SW Si.P 25 5 50 250 175 35 49C -
2SC103A 东芝 SW Si.P 30 5 80 250 175 100 49C -
2SC104 东芝 RF Si.P 25 - 50 250 175 - 49C -
2SC104A 东芝 RF Si.P 30 5 80 250 175 60 49C -
2SC105 东芝 RF Si.P 30 5 80 250 175 35 49C -
2SC106 东芝 SW.PA Si.E 60 5 1.5A 15W(Tc=25℃) 150 20 83 -
2SC107 东芝 SW.PA Si.E 60 5 1A 15W(Tc=25℃) 150 20 83 -
2SC108 东芝 RF.SW Si.EMe 90 5 600 600 150 35 84A -
2SC108A 东芝 RF.SW Si.E 90 5 800 800 175 40-240 84B -
2SC109 东芝 SW Si.E 50 5 600 600 150 35 84A -
2SC109A 东芝 RF.SW Si.E 70 5 800 800 175 40-240 84B -
2SC110 日立 RF.PA Si.Me 40 5 200 750 175 - 84A -
2SC111 日立 RF.PA Si.Me 50 5 200 750 175 - 84A -
2SC112 日立 SW Si.Me 40 5 200 750 175 50 84A -
2SC113 日立 SW Si.Me 50 5 200 750 175 50 84A -
2SC114 日立 SW Si.Me 50 5 200 750 175 50 84A -
2SC115 Sony RF Si.EMe 30 5 50 750 175 50 84B -
2SC116 日立 RF.PA Si.EMe 50 5 200 750 175 40 84A -
2SC117 日立 SW.PA Si.TP 75 5 600 13W(Tc=25℃) 175 40 83 -
2SC118 日立 PA Si.TP 80 5 600 13W(Tc=25℃) 175 - 83 -
2SC119 日立 PA Si.TP 75 5 600 13W(Tc=25℃) 175 - 83 -
2SC120 日电 RF Si.E 40 1 25 250 150 40 84B -
2SC121 日电 RF.Conv.MIX.Osc Si.E 40 1 25 250 175 - 84B -
2SC122 日电 RF.Conv.MIX.Osc Si.E 40 1 25 250 175 - 84B -
2SC123 日电 RF.Conv.MIX.Osc Si.E 40 1 25 250 175 - 84B -
2SC124 日电 RF.Conv.MIX.Osc Si.E 40 1 25 250 175 40 84B -
2SC125 Sony RF.SW Si.EMe 100 5 50 750 175 50 84C -
2SC126 Sony RF.SW Si.EMe 140 5 50 750 175 50 84C -
2SC127 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 20 - 25 200 175 - 84B -
2SC128 松下 SW Ge.A 30 20 200 150 85 40 84A -
2SC129 松下 SW Ge.A 25 20 200 150 85 60 84A -
2SC130 富士通 RF.Conv.Mix. Si.EP 60 - 1A 20W(Tc=25℃) 175 40 83 -
2SC131 富士通 SW Si.EP 40 5 300 350 175 60 49C -
2SC132 富士通 SW Si.EP 20 5 300 350 175 60 49C -
2SC133 富士通 SW Si.EP 20 5 300 350 175 60 49C -
2SC134 富士通 SW Si.EP 40 5 300 350 175 60 49C -
2SC135 富士通 SW Si.EP 20 5 300 350 175 60 49C -
2SC136 富士通 SW Si.EP 80 5 300 350 175 60 49C -
2SC137 富士通 SW Si.EP 25 5 300 350 175 50 49C -
2SC138 日电 RF.PA Si.E 60 5 500 800 175 50 85B -
2SC138A 日电 RF.PA Si.E 60 5 500 800 175 - 85B -
2SC139 日电 RF.PA Si.E 60 5 500 800 175 - 85B -
2SC140 Sony RF Si.EMe 60 - 1A 1.7W 175 - 84C -
2SC141 冲 RF Si.EP 20 5 200 360 175 75 49C -
2SC142 冲 RF.SW Si.EP 30 5 200 360 175 75 49C -
2SC143 冲 RF.SW Si.EP 40 5 200 360 175 75 49C -
2SC144 冲 RF.SW Si.EP 50 5 200 360 175 65 49C -
2SC144A 冲 RF.SW Si.EP 60 5 200 360 175 65 49C -
2SC145 冲 RF Si.EP 30 5 200 360 175 - 49C -
2SC146 冲 RF Si.EP 50 5 200 360 175 - 49C -
2SC146A 冲 RF Si.EP 60 5 200 360 175 - 49C -
2SC147 Sony RF Si.EMe 30 5 1A 750 175 50 84C -
2SC149 日电 RF.IF.Conv.Osc Si.E 120 6 300 800 175 45 84B -
2SC150 日立 RF Si.E 20 5 100 750 175 - 84B -
2SC151 日立 RF Si.E 40 5 100 750 175 20-120 84B -
2SC152 日立 RF Si.E 60 5 100 750 175 20-120 84B -
2SC153 日立 RF Si.E 120 5 100 750 175 65 84B -
2SC154 日立 RF Si.T 120 5 100 750 175 35-200 84B -
2SC154A 日立 RF Si.T 150 5 100 750 175 - 84B -
2SC154B 日立 RF Si.TPa 150 5 100 750 175 50 84C -
2SC154C 日立 RF Si.TPa 200 6 100 750 175 90 84C -
2SC155 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 2 25 100 125 - 35 -
2SC156 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 2 25 100 125 - 35 -
2SC157 日立 RF Si.GD 20 1 20 125 150 - 84A -
2SC158 日立 RF Si.GD 20 1 20 125 150 - 84A -
2SC159 日立 RF Si.GD 20 1 20 125 150 - 84A -
2SC160 日立 RF Si.GD 20 1 20 125 150 - 84A -
2SC161 东芝 SW.PA Si.Me 60 5.5 4A 50W(Tc=25℃) 150 25 102 -
2SC162 冲 RF Si.EP 30 5 250 500 175 60 84A -
2SC163 冲 RF Si.EP 50 5 250 500 175 60 84A -
2SC164 冲 RF Si.EP 60 5 250 500 175 60 84A -
2SC165 冲 RF Si.EP 60 5 250 500 175 60 84A -
2SC166 日立 RF.SW Si.GD 30 5 30 200 175 80 49C -
2SC167 日立 RF.SW Si.GD 55 5 30 200 175 80 49C -
2SC168 冲 RF.SW Si.EP 20 5 200 250 175 85 49C -
2SC169 冲 RF.SW Si.EP 40 5 200 250 175 85 49C -
2SC170 富士通 RF.PA Si.P 25 3 50 110 175 40 49C -
2SC171 富士通 RF.PA Si.P 25 3 50 200 175 30 49C -
2SC172 富士通 RF.PA Si.P 25 5 50 300 175 30 49C -
2SC172A 富士通 RF.PA Si.P 40 5 50 360 200 - 49C -
2SC173 Sony RF.Conv.Mix.Osc Ge.G 15 - 5 30 75 - 7 -
2SC174 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 25 200 175 - 50C -
2SC174A 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 60 5 25 200 175 - 50C -
2SC175 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 7 -
2SC176 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 7 -
2SC177 Sony IF Ge.G 15 - 5 30 75 - 7 -
2SC178 Sony RF.Conv.Mix.Osc Ge.G 15 - 5 30 75 - 7 -
2SC179 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 40 12A -
2SC180 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 35 12A -
2SC181 日立 SW Ge.A 25 20 400 120 85 60 12A -
2SC182 日电 RF.AF.PA Si.E 25 5 150 150 150 80 23 -
2SC183 日电 RF.Conv.Mix Si.E 20 5 30 100 125 75 23 -
2SC183A 日电 RF.V Si.E 30 5 30 100 150 75 23 -
2SC184 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 20 5 30 100 125 - 23 -
2SC185 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 20 5 30 100 125 - 23 -
2SC186 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 2 25 85 120 - 12A -
2SC187 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 2 25 85 120 - 12A -
2SC188 富士通 RF.PA Si.P 40 3 500 600 175 40 84B -
2SC189 富士通 RF.SW.PA Si.P 60 5 500 600 175 40 84B -
2SC190 富士通 RF.SW.PA Si.P 60 5 500 600 175 75 84B -
2SC191 Sony RF Si.GD 60 1 10 250 150 - 84A -
2SC192 Sony RF Si.GD 60 1 10 250 150 - 84A -
2SC193 Sony RF Si.GD 60 1 10 250 150 - 84A -
2SC194 Sony RF Si.GD 60 1 10 250 150 - 84A -
2SC195 Sony RF Si.GD 30 1 10 250 150 - 84A -
2SC196 Sony RF Si.GD 30 1 10 250 150 - 84A -
2SC197 Sony RF Si.GD 30 1 10 250 150 - 84A -
2SC198 富士通 RF.PA Si.EP 50 5 500 800 175 - 85C -
2SC198A 富士通 PA Si.EP 50 5 500 800 175 - 85C -
2SC199 东芝 SW Si.Me 80 15 50 600 175 70 84B -
2SC200 富士通 RF.Conv.Mix. Si.EP 40 - 300 650 175 - 84C -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC301 三菱 RF.SW Si.EP 25 5 100 260 150 85 49B -
2SC302 三菱 RF.SW Si.EP 50 5 100 260 150 85 49B -
2SC303 三菱 RF.PA Si.EP 50 3 500 800 200 20 84B -
2SC304 三菱 RF.PA Si.EP 60 4 500 800 200 25 84B -
2SC305 三菱 RF.PA Si.EP 80 5 500 800 200 30 84B -
2SC306 三菱 RF.SW Si.EP 50 5 500 570 150 85 84B -
2SC307 三菱 RF.SW Si.EP 80 5 500 570 150 85 84B -
2SC308 三菱 RF.SW Si.EP 100 5 500 800 200 65 84B -
2SC309 三菱 RF.SW Si.EP 120 5 500 570 150 65 84B -
2SC310 三菱 RF.SW Si.EP 140 5 500 570 150 65 84B -
2SC313 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 2 50 200 200 40 9 -
2SC314 日立 PA Si.TMe 75 4 1.2A 2W 175 - 83 -
2SC315 日立 PA Si.TMe 75 4 1.2A 2W 175 - 83 -
2SC316 松下 RF.Cnv.Mix.Osc.PA Si.P 45 5 30 300 175 - 49C -
2SC317 日立 SW Si.Me 70 5 100 350 175 100 12A -
2SC317A 日立 SW Si.EMe 100 5 100 350 175 100 12A -
2SC318 Sony RF Si.E 50 5 100 300 175 90 49C -
2SC318A Sony RF.SW Si.PaMe 50 5 100 300 175 90 49C -
2SC319 日电 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.PaMe 40 4 300 1.75W(Tc=25℃) 175 40 84B -
2SC320 日电 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.PaMe 40 4 500 2.5W(Tc=25℃) 175 40 84B -
2SC321 日立 SW.RF Si.EP 40 5 200 360 175 35-200 49C -
2SC322 日立 SW.RF Si.EP 40 5 200 360 175 40 49C -
2SC323 东芝 SW.RF Si.EP 40 5 100 250 175 50 49C -
2SC324 富士通 RF.Conc.Mix.Osc Si.P 20 3 25 200 175 - 49C -
2SC325 冲 RF Si.EP 12 3 50 250 175 - 50C -
2SC326 冲 RF Si.EP 20 3 50 250 175 - 50C -
2SC327 冲 RF Si.EP 30 3 50 250 175 - 50C -
2SC328 冲 RF Si.EP 30 3 20 200 175 - 50C -
2SC329 冲 RF Si.EP 30 3 20 200 175 - 50C -
2SC330 冲 RF.LN Si.EP 20 3 20 200 175 60 128 -
2SC331 冲 RF.LN Si.EP 20 3 20 200 175 60 128 -
2SC332 冲 RF.SW Si.EP 30 5 200 150 175 75 48C -
2SC333 冲 RF.SW Si.EP 40 5 200 150 175 75 48C -
2SC334 冲 RF.SW Si.EP 60 5 200 150 175 65 48C -
2SC335 冲 RF.SW Si.EP 50 5 200 250 175 75 49C -
2SC336 冲 RF.SW Si.EP 60 5 200 250 175 75 49C -
2SC337 冲 RF Si.P 20 5 20 360 175 73 49C -
2SC338 冲 RF Si.P 70 5 20 360 175 73 49C -
2SC339 冲 RF Si.P 110 5 20 360 175 73 49C -
2SC340 冲 RF Si.P 20 5 20 100 100 170 21 -
2SC341 冲 RF Si.P 70 5 20 100 100 73 21 -
2SC342 冲 RF Si.P 110 5 20 100 100 73 21 -
2SC343 冲 RF.SW Si.EP 35 5 500 600 175 55 84A -
2SC344 冲 RF.SW Si.EP 60 5 500 600 175 55 84A -
2SC345 冲 RF.SW Si.EP 80 5 500 600 175 55 84A -
2SC346 冲 RF.SW Si.EP 45 5 700 600 175 70 84A -
2SC347 冲 RF.SW Si.EP 60 6 700 600 175 70 84A -
2SC348 冲 RF.SW Si.EP 60 5 700 600 175 70 84A -
2SC349 冲 RF.SW Si.EP 90 5 700 600 175 70 84A -
2SC350 日立 RF.AF.LN Si.Me 30 5 100 200 175 120 12A -
2SC351 东芝 RF Si.P 40 2 20 200 150 - 33 -
2SC352 Sony RF Si.EP 50 5 100 750 175 90 181 -
2SC352A Sony RF.SW Si.PaMe 50 5 100 750 175 70 181 -
2SC353 Sony RF.SW Si.PaMe 100 5 100 750 175 90 181 -
2SC353A Sony RF.SW Si.PaMe 100 5 100 750 175 70 181 -
2SC354 富士通 RF.PA Si.TP 40 4 1.5A 7W(Tc=25℃) 200 100 84B -
2SC355 富士通 PA Si.TP 75 4 2.5A 15W(Tc=25℃) 200 100 111 -
2SC356 日电 SW Si.E 30 5 200 300 175 60 46C -
2SC360 东芝 RF Si.P 30 5 100 250 175 - 49C -
2SC361 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 25 5 100 200 125 40-160 33 -
2SC362 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 25 5 100 200 125 70-280 33 -
2SC363 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 25 5 100 200 125 150-500 33 -
2SC364 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 25 5 40 200 125 - 33 -
2SC366 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 60 5 400 400 125 70-240 138 -
2SC367 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 40 5 400 400 125 70-240 138 2SA467
2SC368 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 25 5 100 250 175 - 49C -
2SC369 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 18 5 100 200 125 - 33 -
2SC370 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 30 4 100 200 125 - 33 -
2SC371 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 30 4 100 200 125 - 33 -
2SC372 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 60 5 150 400 125 70-400 138 2SA495
2SC373 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 60 5 150 400 125 200-400 138 -
2SC374 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 4 100 200 125 - 33 -
2SC375 东芝 RF Si.EP 20 2 50 200 125 - 33 -
2SC376 东芝 RF Si.EP 70 4 100 200 125 - 33 -
2SC377 东芝 RF Si.EP 35 4 30 200 125 - 33 -
2SC378 东芝 RF.Conv.Mix Si.EP 35 4 30 200 125 40-240 33 -
2SC379 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 4 100 200 125 - 33 -
2SC380 东芝 RF Si.EP 35 4 50 300 125 40-240 138 -
2SC380A 东芝 IF Si.P 35 4 30 200 125 40-240 33 -
2SC381 东芝 RF Si.P 40 4 20 100 125 25-140 33 -
2SC382 东芝 RF Si.P 40 4 50 250 125 >30 138 AGC
2SC383 东芝 RF Si.EP 50 4 50 300 125 20-100 138 -
2SC384 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 20 2 50 200 125 - 33 -
2SC385 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 20 2 20 200 125 - 33 -
2SC385A 东芝 OSC Si.EP 30 3 20 200 125 >20 33 -
2SC386 东芝 RF.Conv.Mix Si.EP 20 2 20 200 125 - 33 -
2SC386A 东芝 OSC Si.EP 20 3 20 200 125 40 33 -
2SC387 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 20 2 50 200 125 - 33 -
2SC387A 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 3 50 250 125 >20 138 -
2SC388 东芝 RF.Conv.Mix Si.EP 20 2 20 200 125 - 138 -
2SC388A 东芝 RF Si.EP 30 4 50 300 125 20-200 138 -
2SC389 东芝 RF Si.P 20 3 20 150 150 - 50C -
2SC390 东芝 RF Si.EP 30 3 20 150 150 40-200 50C -
2SC391 东芝 RF Si.EP 20 2 20 150 150 - 50C -
2SC392 东芝 RF Si.EP 30 3 20 150 150 40-300 50C AGC
2SC393 东芝 RF Si.EP 20 2 20 200 150 - 50C -
2SC394 东芝 RF.Conv.Mix Si.EP 25 4 100 200 125 40-240 33 -
2SC395 东芝 SW Si.EP 20 3 200 250 175 50 49C -
2SC395A 东芝 SW Si.EP 20 5 500 300 175 70-200 49C -
2SC396 东芝 RF Si.EP 30 3 200 250 175 - 49C -
2SC397 东芝 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 20 2 50 200 175 - 50C -
2SC398 东芝 RF Si.EP 20 3 20 200 150 20-200 50C AGC
2SC399 东芝 RF.Conv Si.EP 20 3 20 200 150 20-200 50C AGC
2SC400 东芝 RF.SW Si.E 30 5 100 250 175 60-350 49C 2SA500

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2sc三极管参数资料[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC401 Sony RF.Conv.Mix.Osc.SW Si.E 50 5 100 100 120 90 38 -
2SC402 Sony RF.Conv.MIX.Osc Si.E 50 - 100 100 120 90 38 -
2SC402A Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 - 100 180 120 90 38 -
2SC403 Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 - 100 100 120 60 38 -
2SC403A Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 - 100 180 120 60 38 -
2SC403B Sony RF.AF Si.PaMe 50 4 100 320 120 41-175 38 -
2SC403C Sony RF.AF Si.PaMe 60 4 100 320 120 41-175 38 -
2SC404 Sony RF Si.E 50 3 50 100 120 90 38 -
2SC405 三菱 SW Ge.A 25 15 200 150 100 60 69 -
2SC406 三菱 SW Ge.A 25 15 200 150 100 120 69 -
2SC407 新电元 SW Si.DB 150 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC408 新电元 SW Si.DB 150 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC409 新电元 SW Si.DB 200 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC410 新电元 SW Si.DB 200 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC410A 新电元 SW Si.DB 200 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 37 102 -
2SC411 新电元 SW Si.DB 300 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 20 102 -
2SC412 新电元 SW Si.DB 300 4 10A 100W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC413 冲 PA.SW Si.EP 60 5 1.5A 20W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC414 冲 PA.SW Si.EP 90 5 1.5A 20W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC415 冲 PA.SW Si.EP 120 5 1.5A 20W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC416 冲 SW Si.EP 90 5 1.5A 2W 175 60 83 -
2SC420 冲 SW Si.EP 25 5 80 150 175 130 87C 2只复合管
2SC423 三洋 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 300 500 175 80 84B -
2SC424 三洋 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 300 200 175 80 84B -
2SC425 三洋 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 20 4 300 500 175 80 84B -
2SC426 三洋 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 20 4 300 200 175 80 84B -
2SC427 三洋 RF.Conv.Mix.Osc.PA.SW Si.EP 40 5 100 300 175 80 49C -
2SC428 三洋 RF.Conv.Mix.Osc.PA.SW Si.EP 20 5 100 300 175 80 49C -
2SC429 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 25 2 10 100 150 - 23 -
2SC430 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 25 2 10 100 150 - 23 -
2SC431 新电元 SW Si.DB 150 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 20 105 -
2SC432 新电元 SW Si.DB 150 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 40 105 -
2SC433 新电元 SW Si.DB 200 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 20 105 -
2SC434 新电元 SW Si.DB 200 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 40 105 -
2SC434A 新电元 SW Si.DB 200 4 30A 100W(Tc=25℃) 150 28 105 -
2SC435 新电元 SW Si.DB 300 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 20 105 -
2SC436 新电元 SW Si.DB 300 4 30A 200W(Tc=25℃) 150 40 105 -
2SC437 三菱 PA Si.TP 100 5 2A 13W(Tc=25℃) 175 20 83 MT-301
2SC438 三菱 PA Si.TP 75 5 2A 13W(Tc=25℃) 175 20 83 MT-302
2SC439 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.TP 25 5 100 500 200 50 84B -
2SC440 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.TP 25 5 100 500 200 50 84B MTF-156
2SC441 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.TP 25 5 100 500 200 50 84B MTF-157
2SC442 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.TP 50 5 100 500 200 50 84B MTF-158
2SC443 三菱 PA Si.TP 50 3 500 800 200 20 84B MTF-206
2SC444 三菱 PA Si.TP 60 4 500 800 200 25 84B MTF-207
2SC445 三菱 PA Si.TP 80 5 500 800 200 30 84B MTF-208
2SC446 三菱 PA Si.TP 60 4 500 800 200 25 84B -
2SC447 三菱 PA Si.TP 75 4 2A 5W 175 20 112 -
2SC448 三菱 PA Si.TP 100 5 2A 5W 175 20 112 MTD-306
2SC449 三菱 PA Si.TP 75 5 2A 5W 175 20 112 MTD-307
2SC450 三菱 PA Si.TP 60 4 2A 5W 175 20 112 MTD-308
2SC451 三菱 PA Si.TP 100 4 1.2A 25W(Tc=25℃) 200 >15 112 -
2SC452 三菱 PA Si.TP 100 4 1.2A 25W(Tc=25℃) 200 >15 112 -
2SC453 三菱 PA Si.TP 90 4 1.2A 25W(Tc=25℃) 200 >10 112 -
2SC454 日立 RF.Conv.Mix Si.EPa 30 5 100 200 150 100-500 138 -
2SC455 日立 RF.Conv.Mix Si.EPa 30 5 100 200 125 - 37 -
2SC456 松下 PA Si.EP 50 1.5 600 750 175 12 84B -
2SC457 日电 Diff Si.E 25 5 50 300 175 80 87B 2只复合管
2SC458 日立 RF Si.EPa 30 5 100 200 150 100-500 138 2SA1029
2SC459 日立 RF.Conv.Mix Si.EPa 30 5 100 200 125 160 138 -
2SC460 日立 RF.Conv.Mix Si.EPa 30 5 100 200 150 35-200 138 -
2SC461 日立 RF.Conv.Mix Si.EPa 30 5 100 200 150 35-200 138 -
2SC462 日立 RF Si.EPa 40 4 50 200 200 - 9 -
2SC463 日立 RF Si.EPa 40 4 50 200 200 - 9 AGC
2SC464 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EPa 30 2 50 200 200 - 9 -
2SC465 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EPa 30 2 50 200 200 - 9 -
2SC466 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EPa 30 2 50 200 200 - 9 -
2SC467 富士通 SW Si.EP 20 4 50 300 175 40 49C -
2SC468 日立 SW Si.EP 40 5 200 200 175 60 9 -
2SC469 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 20 5 30 100 125 90 23 -
2SC470 Sony RF Si.EP 90 5 100 750 175 60 84C -
2SC471 日立 AF Si.Me 30 5 100 200 175 - 8A -
2SC472 日立 SW Si.Me VCBX30 5 100 200 175 100 8A -
2SC473 日立 SW Si.TMe 70 5 100 200 175 80 8A -
2SC474 日立 SW Si.Me VCBX70 5 100 200 175 60 8A -
2SC475 日电 RF.AF LN Si.E 20 5 100 150 150 300 23 -
2SC476 日电 RF.AF Si.E 20 5 100 150 150 350 23 -
2SC477 松下 RF Si.EP 50 5 30 140 175 170 50C -
2SC478 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 50 1.5 120 300 175 20 49C -
2SC479 日立 SW Si.EP 60 5 600 650 175 40-160 123 -
2SC480 日立 SW Si.EP 60 5 600 800 175 40-160 123 -
2SC481 东芝 PA Si.EP 60 5 1A 600 150 35 84B -
2SC482 东芝 RF.PA Si.E 40 5 600 600 175 30-300 84B -
2SC483 东芝 PA Si.TMe 100 5 1A 15W(Tc=25℃) 150 120 99 -
2SC484 东芝 PA Si.TMe 150 5 1.5A 800 175 30-300 84B 2SA484
2SC485 东芝 PA Si.TMe 100 5 1.5A 800 175 30-300 84B 2SA485
2SC486 东芝 PA Si.TMe 70 5 1.5A 800 175 30-300 84B 2SA486コンプリ
2SC487 东芝 PA Si.TMe 110 5 1.5A 15W(Tc=25℃) 150 120 99 -
2SC487A 东芝 PA Si.P 150 5 1.5A 15W(Tc=25℃) 150 100 99 -
2SC488 东芝 PA Si.TMe 140 5 3A 16W(Tc=25℃) 150 - 99 -
2SC489 东芝 PA Si.TMe 100 5 3A 16W(Tc-25℃) 150 - 99 -
2SC490 东芝 PA Si.TMe 60 5 3A 16W(Tc=25℃) 150 - 99 -
2SC491 东芝 PA Si.TMe 50 5 1.5A 15W(Tc=25℃) 150 70 99 -
2SC492 东芝 PA Si.TMe 110 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC493 东芝 PA Si.TMe 80 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC494 东芝 PA Si.TMe 50 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC495 东芝 PA Si.E 70 5 1A 1W 150 40-240 342 2SA505
2SC496 东芝 PA Si.E 40 5 1A 1W 150 40-240 342 2SA496
2SC497 东芝 PA Si.E 100 5 800 600 150 40-240 84B 2SA497
2SC498 东芝 PA Si.E 80 5 800 600 150 40-240 84B 2SA498
2SC499 东芝 PA Si.EP 100 2 20 300 125 - 33 -
2SC500 东芝 RF Si.TMe 120 5 20 600 150 - 84A -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC501 东芝 RF Si.EP 60 5 300 750 175 - 84B 2SA501
2SC502 东芝 PA Si.EP 60 5 1A 10W(Tc=25℃) 150 30 84C -
2SC503 东芝 RF.SW Si.E 100 5 600 800 175 30-300 84B 2SA503
2SC504 东芝 RF.SW Si.E 80 5 600 800 175 30-300 84B 2SA504
2SC505 东芝 RF.SW Si.T 300 3 200 600 175 40-140 84B -
2SC506 东芝 RF.SW Si.T 200 3 200 600 175 40-140 84B -
2SC507 东芝 RF.SW Si.T 170 5 100 750 175 70 84B -
2SC508 东芝 SW Si.T 180 5 4A 20W(Tc=25℃) 150 40 99 -
2SC509 东芝 PA.SW Si.E 35 5 800 600 150 70-240 138 2SA509
2SC510 东芝 PA.SW Si.T 140 5 1.5A 800 175 30-150 84B 2SA510
2SC511 东芝 PA.SW Si.T 120 5 1A 800 150 - 84B 2SA511
2SC512 东芝 PA.SW Si.T 100 5 1.5A 800 175 30-150 84B 2SA512
2SC513 东芝 PA.SW Si.T 70 5 1A 800 150 - 84B 2SA513
2SC514 东芝 PA.SW Si.TMe 300 3 100 4W(Tc=25℃) 150 - 98A -
2SC515 东芝 PA.SW Si.TMe 300 3 100 6W(Tc=25℃) 150 - 99 -
2SC515A 东芝 PA.SW Si.T 300 5 150 20W(Tc=25℃) 175 40-170 99 -
2SC516 东芝 RF.PA Si.DB 100 5 1.5A 800 175 60 84B -
2SC516A 东芝 RF.PA Si.DB 140 5 1.5A 800 175 60 84B -
2SC517 东芝 PA Si.EP 60 4 2A 10W(Tc=25℃) 175 10-140 97B -
2SC518 东芝 PA Si.TMe 140 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC518A 东芝 PA Si.TMe 180 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC519 东芝 PA Si.TMe 110 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC519A 东芝 PA Si.TMe 130 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC520 东芝 PA Si.TMe 80 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC520A 东芝 PA Si.TMe 100 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC521 东芝 PA Si.TMe 50 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC521A 东芝 PA Si.TMe 70 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-300 102 -
2SC522 东芝 PA Si.T 140 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 30-150 97B -
2SC523 东芝 PA Si.T 120 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 97B -
2SC524 东芝 PA Si.T 100 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 30-150 97B -
2SC525 东芝 PA Si.T 70 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 150 - 97B -
2SC526 松下 PA Si.TMe 165 5 55 2.3W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC527 松下 RF Si.P 35 3 10 130 175 - 50C -
2SC528 日立 RF.PA Si.EP 20 5 150 200 125 100 37 -
2SC529 日立 RF.AF Si.P 30 5 100 100 125 160 36 -
2SC530 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC531 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC532 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC533 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC534 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 5 100 100 125 - 36 -
2SC535 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 4 20 100 125 35-200 138 -
2SC536 三洋 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 40 5 100 200 125 320 138 -
2SC537 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.P 20 5 100 200 125 120 27 -
2SC538 松下 RF.AF Si.EP 25 5 50 300 175 250 49C 2SA550
2SC538A 松下 RF.AF Si.EP 45 5 50 300 175 250 49C 2SA550A
2SC539 松下 RF Si.EP 25 5 50 300 175 250 49C -
2SC540 日电 RF.AF.LN Si.E 30 5 100 150 150 270 23 -
2SC541 富士通 PA Si.EP 50 4 1A 7W(Tc=25℃) 200 30 84B -
2SC542 富士通 PA Si.EP 65 4 1.5A 11.6W(Tc=25℃) 200 25 111 -
2SC543 富士通 PA Si.EP 65 4 3A 23W(Tc=25℃) 200 20 111 -
2SC544 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 40 4 30 120 125 60 27 -
2SC545 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 20 4 30 120 125 60 27 -
2SC546 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 30 - 30 150 125 - 27 -
2SC547 东芝 PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc=25℃) 175 >10 84B -
2SC548 东芝 RF.PA Si.EP 36 4 500 6W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC549 东芝 PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 >10 111 -
2SC550 东芝 PA Si.EP 36 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC551 东芝 PA Si.EP 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 >10 111 -
2SC552 东芝 PA Si.EP 36 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC553 东芝 PA Si.EP 55 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC554 东芝 PA Si.EP 36 4 500 6W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC555 东芝 PA Si.EP 55 3.5 400 4.2W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC556 东芝 RF.PA Si.EP 40 2 400 750 150 - 84B -
2SC557 东芝 PA Si.EP 40 3.5 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 111 -
2SC558 东芝 PA Si.TMe 250 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC559 东芝 PA Si.EP 60 5 300 600 175 80 84B -
2SC560 东芝 RF Si.EP 80 5 800 800 175 30-120 84B 2SA560
2SC561 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 2 25 200 125 - 30 -
2SC562 松下 RF Si.P 40 4 25 130 175 >26 117C AGC
2SC563 松下 RF Si.EP 40 4 25 145 175 >38 117C -
2SC563A 松下 RF Si.EP 40 4 25 300 175 >38 117C -
2SC564 富士通 SW Si.EP 50 5 500 650 175 50 84B -
2SC565 富士通 SW Si.EP 50 5 200 350 175 45 49C -
2SC566 日电 RF.PA Si.E 50 4 300 800 175 70 85B -
2SC567 日电 RF Si.E 30 3 20 200 150 - 50C -
2SC568 日电 RF Si.E 30 3 20 200 150 - 50C -
2SC569 东光 SW Si.EP 40 4.5 150 150 150 60 22 KT200
2SC570 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 150 60 28 KT210
2SC571 松下 PA Si.EP 36 4 500 6W(Tc=25℃) 175 70 84B -
2SC572 松下 PA Si.EP 36 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 80 111 -
2SC573 松下 PA Si.EP 36 4 2A 20W(Tc=25℃) 175 80 111 -
2SC574 松下 RF.PA Si.EP 80 4 1A 7.5W(Tc=25℃) 175 >5 110 -
2SC575 松下 RF.PA Si.EP 80 4 1A 5W(Tc=25℃) 175 20 84C -
2SC576 松下 RF.SW Si.EP 40 5 500 360 200 40 49C -
2SC577 松下 RF.SW Si.EP 40 5 500 360 200 80 49C -
2SC578 日电 SW Si.E 60 5 500 600 175 60 84B -
2SC579 日电 SW Si.E 30 5 200 360 175 80 49C -
2SC580 日电 RFConv.Mix.Osc.PA Si.E 60 5 1A 800 175 60 84B -
2SC581 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 5 30 140 175 - 50C -
2SC582 松下 PA Si.Me 300 3 100 6.5W(Tc=70℃) 150 65 99 -
2SC583 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.Me 30 2.5 20 200 200 25-150 50C -
2SC584 松下 RF.PA Si.Me 80 4 2A 17.5W(Tc=25℃) 200 10 111 -
2SC585 松下 PA Si.EP 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 80 111 -
2SC586 松下 PA Si.EMe 150 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC587 松下.Sony.东芝 RF Si.P 45 5 30 300 175 - 49C -
2SC587A 松下.Sony.东芝 RF Si.P 45 5 30 300 175 - 49C -
2SC588 富士通.Sony RF Si.DB 30 5 100 600 175 - 84B -
2SC589 Sony.松下 RF Si.DB 165 5 80 750 175 40 84B -
2SC590 日电.三菱 RF Si.DB 120 5 300 800 175 70 84B -
2SC591 富士通.日电 RF.PA Si.DB 100 4 1.5A 20W(Tc=25℃) 175 10-40 83 -
2SC592 富士通 PA Si.TP 75 4 2.5A 13W(Tc=25℃) 175 60 111 -
2SC593 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 50 5 30 165 175 40-160 50C -
2SC594 富士通.日电.三菱.东芝 RF.PA Si.E 60 5 200 750 175 40-240 84B -
2SC595 冲.东芝.富士通.日电 SW Si.EP 30 5 200 300 150 60 49C -
2SC596 日电.富士通 RF.PA Si.EP 60 5 500 800 175 25-100 85B -
2SC597 东芝.松下 PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc-25℃) 175 - 84B -
2SC598 东芝.冲.日电.松下 PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC599 三菱 PA Si.EP 60 4 1.5A 20W(Tc=25℃) 200 30 114 -
2SC600 东芝.日电.松下 PA Si.EP 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 - 111 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
本站不保证资料完整性及正确性，您在使用或置换时要严格核对，本数据表仅供参考。

[!--empirenews.page--]2sc三极管参数资料[/!--empirenews.page--]

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC601 松下.富士通 - RF.SW Si.EP 40 5 100 300 175 49C 　
2SC602 东芝.冲.富士通 RF Si.EP 30 3 30 200 150 - 50C -
2SC603 日电 Ch Si.E 7 7 50 200 150 100 47 2只复合管双方向性
2SC604 日电 RF.AF Si.E 45 5 100 150 150 - 23 -
2SC605 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si 30 4 20 150 150 60 23 AGC
2SC606 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si 30 4 20 150 150 60 23 AGC
2SC607 日立 PA Si.T 75 4 600 1W 175 - 84A -
2SC608 日立 PA Si.T 75 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 97B -
2SC609 日立 PA Si.T 75 4 1.5A 10W(Tc-25℃) 175 - 97B -
2SC610 松下 " Si.TP 100 4 10A 100W(Tc=25℃) 175 50 109 -
2SC611 日电.冲.富士东芝、松下 RF.Conv.Mix.Osc Sj.EP 20 3 20 200 150 - 50C -
2SC612 东芝.日电.松下 RF Sj.EP 35 2 20 180 175 - 50C -
2SC613 日电 SW Sj.EP 40 5 200 360 200 80 49C -
2SC614 三洋 Osc.PA Si.P 80 4 1.5A 7.5W(Tc=25℃) 175 80 84B -
2SC615 三洋 Osc.PA Si.P 30 4 1.5A 7.5W(Tc=25℃) 175 80 84B -
2SC616 三洋 Osc.PA Si.P 80 - 1.5A 13W(Tc=25℃) 175 - 83 -
2SC617 三洋 Osc.PA Si.P 30 - 1.5A 13W(Tc=25℃) 175 - 83 -
2SC618 富士通 RF Si.EP 25 4 25 150 150 - 50C -
2SC618A 富士通 RF Si.EP 25 4 25 150 150 - 50C -
2SC619 三菱 SW.PA Si.EP 30 5 200 250 125 110 138B -
2SC620 三菱 RF.PA Si.EP 50 5 200 250 125 90 138B -
2SC621 三菱 RF.Conv.Mix.Osc.SW Si.EP 25 4 100 150 150 75 8A -
2SC622 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 4 100 150 150 75 11A -
2SC623 东光 SW Si.EP 40 4.5 150 150 150 60 22 KT-2003
2SC624 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 150 60 28 KT-2103
2SC626 日电 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.E 50 5 200 750 175 - 84B -
2SC627 富士通 RF.AF.SW Si.T 200 4 100 700 175 80 84B -
2SC628 日电 RF.PA Si.E 40 4 500 2.5W(Tc=25℃) 175 40 84B -
2SC629 Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 18 - 30 150 120 30 38 -
2SC631 Sony RF.AF.LN Si.E 25 6 100 250 120 350 38 -
2SC631A Sony RF.AF.LN Si.E 25 6 200 250 120 400 38 2SA704
2SC632 Sony RF.LN " 40 6 loo 250 120 350 38 -
2SC632A Sony RF.LN Si.E 50 6 200 250 120 400 38 2SA705
2SC633 Sony RF.Conv.Mix.Osc.SW " 25 6 100 250 120 400 38 -
2SC633A Sony RF.Conv.Mix.Osc.SW Si.E 25 6 200 250 120 400 38 2SA677
2SC634 Sony " " 40 6 100 250 120 400 38 -
2SC634A Sony RF.Conv.Mix.Osc.SW Si.E 50 6 200 250 120 400 38 2SA678
2SC635 日电 PA Si.E 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 15-200 111 -
2SC636 日电 PA Si.E 65 4 3A 20W(Tc=25℃) 175 15-200 111 -
2SC637 日电 PA Si.E 40 4 1A 10W(Tc=25℃) 175 >20 111 -
2SC638 日电 PA Si.E 40 4 2A 20W(Tc=25℃) 175 >20 111 -
2SC639 日电 SW Si.E 40 5 200 360 200 90 49C -
2SC640 日电 Ri Si.E 30 5 100 150 150 270 23 -
2SC641 日立 SW.RF Si.EP 40 5 100 100 150 45-160 138 -
2SC642 东芝 PA Si.TMe 1100 5 1A 50W(Tc=25℃) 150 30-160 102 水平偏向用
2SC642A 东芝 PA Si.TMe 1500 5 1A 50W(Tc=25℃) 150 30-160 102 水平偏向用
2SC643 东芝 PA Si.TMe 1100 5 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 >7 102 -
2SC643A 东芝 PA Si.TMe 1500 5 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 >5 102 水平偏向用
2SC644 松下 RF.AF.LN Si.EP 30 5 50 150 125 250 138 -
2SC645 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 5 30 140 175 40-150 243 -
2SC646 松下 PA Si.TMe 60 5 4A 25W(Tc=25℃) 150 55 102 -
2SC647 松下 PA Si.TMe 80 5 5A 50W(Tc=70℃) 150 40 102 -
2SC648 日立 RF Si.E 30 - 30 100 150 280 182C -
2SC649 日立 RF.AF.LN Si.E 30 6 30 200 175 120 12A -
2SC650 日立 RF.AF.LN Si.E 30 6 30 200 175 250 12A -
2SC651 日电 PA Si.E 45 4 300 750 150 20-200 84B -
2SC652 日电 PA Si.E 40 3 300 750 150 >20 84B -
2SC653 日电 RF Si.E 25 3 20 200 150 - 50C -
2SC654 日电 RF Si.E 40 3 300 800 150 - 85B -
2SC655 松下 RF.AF.PA Si.EP 10 2 10 75 125 400 34 -
2SC656 松下 RF Si.EP 10 2 5 50 125 - 34 -
2SC657 Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 18 - 30 150 120 50 38 -
2SC658 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 25 4 20 150 150 60 8A -
2SC659 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 25 4 20 150 150 60 8A -
2SC660 三菱 RF.Conv.Mix Si.P 25 4 20 150 150 60 11A AGC
2SC661 三菱 RF.Conv.Mix Si.P 25 4 20 150 150 60 11A AGC
2SC662 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 2 20 150 150 - 9 -
2SC663 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 2 20 150 150 10-300 11A -
2SC664 日立 PA.SW Si.T 100 5 5A 50W(Tc=25℃) 150 80 102 -
2SC665 日立 PA.SW Si.T 130 6 7A 50W(Tc=25℃) 150 30-130 102 -
2SC668 三洋 RF.Conv.Mix Si.TP 25 3 30 150 125 25-560 92 -
2SC669 ソ二ー PA Si.E 30 5 2A 1W 175 70 181 -
2SC669A ソ二ー PA Si.EMe 100 6 3A 10W(Tc=25℃) 175 170-400 181 -
2SC674 三洋 RF.Conv.Mix. Si.TP 25 4 30 150 125 40-320 92 -
2SC675 芝电 SW Si.Me 250 6 7A 50W(Tc=25℃) 180 30 102 -
2SC676 芝电 SW Si.Me 200 6 7A 50W(Tc=25℃) 180 30 102 -
2SC677 芝电 SW Si.Me 150 6 7A 50W(Tc=25℃) 180 40 102 -
2SC678 芝电 SW Si.Me 100 6 7A 50W(Tc=25℃) 180 40 102 -
2SC679 日立 PA Si.T 300 6 2A 30W(Tc=25℃) 175 60 153 -
2SC680 日立 PA Si.T 200 6 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 180 153 -
2SC680A 日立 PA Si.T 200 6 2A 12.5W(Tc=25℃) 150 180 153 -
2SC681 日立 SW Si.T 200 5 6A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 水平偏向用
2SC681A 日立 PA Si.T 250 5 6A 50W(Tc=25℃) 150 - 102 水平偏向用
2SC682 日立 RF Si.P 20 3 20 180 175 60 9 AGC
2SC683 日立 RF Si.P 20 3 20 180 175 60 9 AGC
2SC684 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 2 50 200 125 >40 37 -
2SC685 日立 PA Si.T 300 4 100 4W(Tc=25℃) 150 60-120 153 -
2SC685A 日立 PA Si.TPa 300 4 100 6.5W(Tc≦70℃) 150 60 153 -
2SC686 日电 RF Si.E 150 6 50 800 175 90 84B -
2SC687 松下 SW Si.EP 150 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC688 三菱 PA Si.EP 60 4 1.5A 20W(Tc=25℃) 200 - 114 -
2SC689 日立 SW Si.EP 40 5 100 300 175 85 49C -
2SC690 三菱 PA Si.EP 60 5 3A 30W(Tc=25℃) 175 50 113 -
2SC690A 三菱 PA Si.EP 60 5 4A 35W(Tc=25℃) 175 50 113 -
2SC691 三菱 PA Si.EP 60 4 0 8.6W(Tc=25℃) 175 50 113 -
2SC692 三菱 PA Si.EP 60 5 1A 15W(Tc=25℃) 175 50 113 -
2SC693 三洋 RF.LN Si.P 40 5 50 100 125 160-960 138 -
2SC694 三洋 RF.LN Si.P 40 5 50 100 125 160-960 138 -
2SC695 日电 AF.RF Si.E 20 5 30 100 150 150 23 -
2SC696 松下 PA Si.EP 100 5 3A 750 175 55 84B 2SA546
2SC696A 松下 PA Si.EP 130 5 3A 750 175 55 84B 2SA546A
2SC697 松下 PA Si.EP 100 5 3A 10W(Tc=25℃) 175 55 97B 2SA547
2SC697A 松下 PA Si.EP 130 5 3A 10W(Tc=25℃) 175 55 97B 2SA547A
2SC698 日电 RF.PA Si.E 100 5 3A 10W(Tc=25℃) 175 80 97B -
2SC699 三菱 PA Si.TP 50 4 1A 10W(Tc=25℃) 200 - 97B -
2SC700 三菱 PA Si.EP 60 3 500 5W(Tc=25℃) 200 - 84C -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC701 三菱 PA Si.EP - 3 750 5W(Tc=25℃) 200 84C -
2SC702 三菱 PA Si.EP 40 4 750 8.6W(Tc=25℃) 175 113 -
2SC703 三菱 PA Si.EP 40 5 2A 21W(Tc=25℃) 175 113 -
2SC704 三菱 PA Si.EP 40 5 4A 34W(Tc=25℃) 175 113 -
2SC705 三洋 RF.Conv.Mix.Osc. Si.EP 15 3 30 120 125 27 -
2SC706 三洋 RF Si.EP 15 3 30 120 125 27 -
2SC707 日立 RF Si.P 20 3 20 150 175 9 -
2SC708 日立 SW Si.T 60 4 1A 750 150 84B 2SA537
2SC708A 日立 SW Si.T 100 4 1A 750 150 84B 2SA537A
2SC709 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 4 100 200 125 138B -
2SC710 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 4 30 200 125 138B -
2SC711 三菱 RF.AF Si.EP 30 4 100 200 125 138B -
2SC711A 三菱 RF.AF Si.EP 50 4 100 200 125 138B -
2SC712 三菱 AF Si.EP 30 4 100 200 125 138B -
2SC712A 三菱 AF Si.EP 30 4 100 200 125 138B -
2SC713 三菱 SW Si.EP 30 4 100 200 125 138B -
2SC714 三菱 SW Si.EP 70 5 200 250 125 138B -
2SC715 三洋 RF.V Si.EP 40 5 100 120 125 27 -
2SC716 三洋 RF.V Si.EP 20 5 100 100 125 27 -
2SC717 日立 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 30 2 50 200 125 37 -
2SC718 富士通 SW Si.EP 20 4 200 300 175 49C -
2SC719 富士通 SW Si.EP 20 4 200 200 175 46C -
2SC720 富士通 RF Si.P 25 3 20 200 175 50C AGC
2SC721 富士通 RF Si.P 25 3 20 200 120 30 AGC
2SC722 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 20 - 25 200 125 138 -
2SC723 富士通 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 20 - 25 200 125 138 -
2SC724 富士通 RF.SW Sj.EP 30 5 200 200 125 138 -
2SC725 富士通 RF.SW Sj.EP 60 5 200 200 125 138 -
2SC726 富士通 SW Sj.EP 20 4 200 200 125 30 -
2SC727 富士通 RF.AF.SW Si.T 100 3 100 350 175 49C -
2SC728 富士通 RF.AF.SW Si.T 200 6 100 350 175 49C -
2SC729 日电 RF Si.E 50 5 200 600 175 84B -
2SC730 三菱 PA Si.EP 40 4 400 1.03W 175 84B -
2SC731 松下 PA Si.EP 40 4 500 2.5W(Tc=25℃) 175 84B -
2SC732 东芝 LN Si.E 60 5 150 400 125 138 -
2SC733 东芝 RF Si.E 35 5 100 300 125 33 -
2SC734 东芝 RF Si.E 70 5 150 300 125 33 2SA561
2SC735 东芝 RF Si.E 35 5 400 300 125 33 -
2SC736 日电 SW Si.E 135 5 5A 50W(Tc=25℃) 175 102 -
2SC737 三菱 PA Si.EP 60 5 1.5A 17W(Tc=25℃) 175 113 -
2SC738 三菱 RF,Conv.Osc Si.EP 25 4 20 150 125 138B -
2SC739 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 4 20 150 125 138B -
2SC740 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 2 20 150 150 11A -
2SC741 三菱 PA Si.EP 40 4 300 2.5W(Tc=25℃) 175 84B -
2SC742 富士通 PA Si.EP 65 4 1.5A 12.5W(Tc=25℃) 175 111 -
2SC743 富士通 PA Si.EP 65 4 3A 25W(Tc=25℃) 175 111 -
2SC745 富士通 PA Si.EP 50 4 1.5A 12.5W(Tc=25℃) 175 111 -
2SC746 富士通 PA Si.EP 45 4 3A 25W(Tc=25℃) 175 111 -
2SC748 富士通 PA Si.EP 36 4 1A 12.5W(Tc=25℃) 175 111 -
2SC749 富士通 PA Si.EP 36 4 2A 25W(Tc=25℃) 175 111 -
2SC751 东芝 RF Si.EP 20 2 20 100 150 46C -
2SC752 东芝 SW Si.E 40 5 200 400 125 138 -
2SC753 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 25 - 20 100 150 23 -
2SC754 日电 RF.AF Si.E 20 - 150 150 150 23 -
2SC755 日电 RF Si.E 15 - 100 150 150 23 -
2SC756 Sony PA Si.E 100 6 4A 10W(Tc=25℃) 175 181 -
2SC756A Sony RF.PA Si.EMe 130 6 4A 10W(Tc=25℃) 175 181 -
2SC757 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 30 - 20 100 150 23 -
2SC758 芝电 PA Si.TMe 280 5 8A 60W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC759 芝电 PA Si.TMe 180 5 8A 60W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC760 芝电 PA Si.TMe 100 5 8A 60W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC761 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 3 20 150 175 50C AGC
2SC762 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.P 30 3 20 150 175 50C AGC
2SC763 三菱 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 25 3 20 100 125 138B -
2SC764 日电 SW Si.E 40 5 200 360 200 49C -
2SC765 三菱 PA Si.TMe 60 - 2A 30W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC766 三菱 PA Si.TMe 120 - 2A 30W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC767 三菱 PA Si.TMe 180 - 2A 30W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC768 三菱 PA.SW Si.TMe 60 5 10A 50W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC769 三菱 PA.SW Si.TMe 120 5 10A 50W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC770 三菱 PA.SW Si.TMe 200 5 10A 50W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC771 三菱 PA.SW Si.TMe 250 5 10A 50W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC772 三洋 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 15 - 30 120 125 27 -
2SC773 三菱 Osc Si.EP 50 5 200 250 125 - 138B -
2SC774 三菱 PA Si.EP 50 4 500 680 175 84B -
2SC775 三菱 PA Si.EP 75 4 1A 800 200 84B -
2SC776 三菱 PA Si.EP 75 4 1A 1W 200 848 -
2SC777 三菱 PA Si.EP 75 4 1A 2W 200 97B -
2SC778 三菱 PA Si.EP 80 4 2A 2.5W 200 97B -
2SC779 东芝 SW Si.TMe 300 6 2A 25W(Tc=25℃) 150 99 -
2SC780 东芝 RF Si.EP 70 2 20 150 125 - 33 -
2SC780A 东芝 SW Si.T 150 5 30 400 125 138 2SA429
2SC781 日电 RF.PA Si.E 75 5 1A 5W(Tc=25℃) 175 84B -
2SC782 东芝 PA Si.TMe 300 5 1.5A 20W(Tc=25℃) 150 99 -
2SC782A 东芝 PA Si.TP 300 5 1.5A 25W(Tc=25℃) 150 99 -
2SC783 东芝 PA Si.TMe 200 5 1.5A 20W(Tc-25℃) 150 99 -
2SC784 东芝 RF Si.EP 40 4 20 100 125 33 -
2SC785 东芝 Conv.Mix.Osc Si.EP 40 4 20 100 125 33 -
2SC786 东芝 RF Si.EP 20 3 20 200 150 50C -
2SC787 东芝 RF.LN Si.P 25 3 20 150 150 50C -
2SC788 东芝 RF.SW Si.T 250 5 50 800 150 84B -
2SC789 东芝 RF.PA Si.T 70 5 4A 30W(Tc=25℃) 150 268 -
2SC790 东芝 PA Si.T 50 5 3A 25W(Tc=25℃) 150 268 2SA490
2SC791 东芝 PA Si.TMe 90 5 1.5A 15W(Tc=25℃) 150 99 -
2SC792 东芝 PA Si.TMe 300 5 1.5A 50W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC793 东芝 PA Si.TMe 100 5 7A 60W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC794 东芝 PA Si.TMe 70 5 7A 60W(Tc=25℃) 150 102 -
2SC795 Sony PA Si.DB 250 6 100 9W(Tc=25℃) 150 100 -
2SC796 富士通 RF.Osc Si.EP 40 - 500 1W(Tc=25℃) 175 84B -
2SC797 富士通 PA Si.EP 60 - 500 1W(Tc=25℃) 175 84B -
2SC798 富士通 PA Si.TP 60 - 1.5A 5W(Tc=25℃) 175 - 84B
2SC799 日电 RF.PA Si.E 80 5 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 97B -
2SC800 日电 RF Si.E 30 4 10 100 150 23 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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型号 　 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 　 备注及替换 　
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC801 日电 RF.PA Si.TMe 75 5 500 13W(Tc=25℃) 175 50 83 -
2SC802 富士通 PA.SW Si.EP 60 4 500 1W(Tc=25℃) 175 30 84B -
2SC803 富士通 PA.SW Si.TP 60 4 1.5A 5W(Tc=25℃) 175 70 84B -
2SC804 Sony RF.Conv.Mix.Osc Si.DB 15 - 20 150 100 50 139 -
2SC805 Sony RF.AF.SW Si.DB 100 5 200 475 120 100 181 -
2SC805A Sony PA.SW Si.EPa 240 5 200 750 175 150 181 2SA923
2SC806 Sony PA Si.TMe 650 10 10A 125W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC806A Sony PA Si.TMe 700 10.5 10A 125W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC807 Sony PA Si.TMe 500 10 10A 125W(Tc=25℃) 150 50 102 -
2SC807A Sony PA Si.TMe 580 8 10 125W(Tc=25℃) 150 60 -
2SC808 Sony PA Si.TMe 300 8 5A 80W(Tc=25℃) 150 100 102 -
2SC809 富士通 RF Si.EP 25 3 20 200 150 - 50C -
2SC810 富士通 RF.PA Si.EP 40 3 300 500 150 - 85B -
2SC811 富士通 RF Si.EP - 4 30 180 175 60 50C -
2SC812 富士通 SW Si.EP 20 4 100 250 150 50 49C -
2SC814 日电 RF.PA Si.E 30 5 500 400 125 150 44 -
2SC815 日电 RF.Osc.PA Si.E 60 5 200 250 125 80 138 2SA539
2SC816 三菱 RF Si.EP 60 - 1A 1W 200 100 84B -
2SC817 三菱 RF Si.EP 30 - 20 120 150 80 50C -
2SC818 三菱 RF Si.TP 160 5 100 800 200 20-180 84A -
2SC819 日立 PA Si.EP 65 4 1A 6W(Tc=25℃) 175 - 84C -
2SC820 日立 PA Si.EP 65 4 1.5A 10W(Tc=25℃) 175 - 111 -
2SC821 松下 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 300 2.5W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC822 松下 RF.Conv.Mix.Osc.PA Si.EP 40 4 500 2.5W(Tc=25℃) 175 - 84B -
2SC823 日电 RF Si.E 30 3 60 600 150 >30 85B -
2SC824 日电 RF Si.E 50 3 120 650 150 >20 85B -
2SC825 富士通 SW Si.T 300 6 2A 30W(Tc=25℃) 175 75 99 -
2SC826 富士通 RF Si.TMe 100 6 300 700 175 100 84B -
2SC827 富士通 RF.SW Si.TMe 100 6 500 700 175 100 84B -
2SC828 松下 RF.AF Si.EP 30 7 50 400 150 130-520 138 2SA564
2SC828A 松下 RF.AF Si.EP 45 7 50 400 150 130-520 138 2SC564A
2SC829 松下 RF.Conv.Mix.Osc " 30 5 30 400、 150 70-250 138 -
2SC830 日立 PA Si.T 100 4 3A 25W(Tc=25℃) 150 30-200 153 2SB551
2SC831 日电 PA Si.E 50 4 2A 23W(Tc=25℃) 175 15-200 111 -
2SC833 日立.东芝.三洋 SW Si.TMe 450 6 2A 25W(Tc=25℃) 150 80 99 -
2SC836 日电 RF Si 30 4 20 200 125 70 138 AGC
2SC837 日电 RF Si.E 30 4 20 250 125 40 138 -
2SC838 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 5 30 250 125 80 138 -
2SC839 日电 RF.Conv.Mix.Osc Si.E 50 5 50 250 125 100 138 -
2SC840 松下 PA Si.TMe 100 5 2A 20W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC840A 松下 RF.Conv.Mix.Osc Si.EP 150 5 2A 20W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC841 富士通 PA Si.EP 36 - 500 6W(Tc=25℃) 175 50 84B -
2SC842 富士通 PA Si.EP 36 - 1A 10W(Tc=25℃) 175 40 111 -
2SC843 富士通 PA Si.EP 36 - 2A 20W(Tc=25℃) 175 50 111 -
2SC844 富士通 PA Si.EP 40 2 400 3.5W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC845 富士通 PA Si.EP 55 3.5 400 3.5W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC847 富士通 RF Si.EP 30 5 200 350 175 160 49C -
2SC848 富士通 RF.LN Si.EP 30 5 200 350 175 160 49C -
2SC849 富士通 SW.AF Si.EP 30 5 300 350 175 160 49C -
2SC850 富士通 SW.PA Si.EP 50 7 500 350 175 160 49C -
2SC851 日电 PA Si.E 50 5 8A 75W(Tc=25℃) 200 50 102A -
2SC852 日电 RF Si.E 45 3 80 500 150 100 85B -
2SC853 日电 RF.PA Si.E 70 5 200 400 125 70 44 2SA545
2SC854 富士通 PA Si.EP 40 2 300 2.5W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC855 富士通 PA Si.EP 40 2 400 3W(Tc=25℃) 175 25 84B -
2SC856 日立 RF Si.TPa 150 5 50 300 175 50 12A -
2SC857 日立 SW.RF Si.TMe 200 5 50 200 175 80 12A -
2SC858 三洋 RF.LN Si.P 20 - 50 100 125 230 27 -
2SC859 三洋 RF.LN Si.P 20 - 50 100 125 230 27 -
2SC860 三洋 RF Si.EP 15 3 30 80 125 80 205C -
2SC861 日立 PA Si.TMe 450 6 1A 50W(Tc=25℃) 150 50 102 -
2SC862 日立 PA Si.TMe 650 6 5A 50W(Tc=25℃) 150 9 102 -
2SC863 东芝 RF Si.EP 60 4 25 175 150 - 117C -
2SC864 东芝 RF Si.EP 40 4 25 175 150 - 117C -
2SC865 富士通 PA Si.TP 60 - 2A 20W(Tc=25℃) 175 70 83 -
2SC866 富士通 PA Si.TP 60 - 1.5A 5W(Tc=25℃) 175 70 97B -
2SC867 Sony PA.SW Si.TMe 400 10 1A 23W(Tc=25℃) 150 80 100 -
2SC867A Sony RF.PA Si.TMe 520 10 3A 48W(Tc=25℃) 150 80 100 -
2SC868 三菱 SW Si.EP 130 5 30 200 125 90 138B -
2SC869 三菱 SW Si.EP 160 5 30 200 125 90 138B -
2SC870 三菱 RF.AF.LN Si.EP 30 4 30 200 125 160 138B -
2SC871 三菱 RF.AF.LN Si.EP 30 4 30 200 125 250 138B -
2SC872 富士通 PA Si.EP 40 - 400 3.5W(Tc=25℃) 175 25 84C -
2SC873 三洋 - 　 75 4 1A 500 150 60 84B 2SA535.2SA536
2SC874 三洋 - 　 50 4 1A 500 150 60 84B 2SA535.2SA536
2SC875 三洋 RF.PA Si.TP 75 5 200 500 150 100 84B -
2SC876 三洋 RF.PA Si.TP 50 5 200 500 150 100 84B -
2SC877 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 175 60 49C -
2SC878 东光 SW Si.EP 40 4.5 200 300 175 70 49C -
2SC879 东光 SW Si.EP 60 5 1A 800 175 80 84B -
2SC880 东光 SW Si.EP 60 5 1A 800 175 80 84B -
2SC881 日电 RF.PA Si.E 60 5 200 400 125 70 44 -
2SC882 芝电 RF.Conv.Osc Si.EP 150 5 2A 25W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC883 芝电 RF.Conv.Osc Si.EP 90 5 2A 25W(Tc=25℃) 150 - 102 -
2SC884 芝电 PA Si.TMe 80 5 2A 15W(Tc=25℃) 150 60 99 -
2SC885 芝电 SW Si.TMe 330 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC886 芝电 SW Si.TMe 270 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC887 芝电 SW Si.TMe 210 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC888 芝电 SW Si.TMe 150 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC889 三菱 RF.AF.LN Si.EP 90 5 7A 50W(Tc=25℃) 150 35 102 -
2SC890 日电 PA Si.E 40 3 400 750 175 >20 84C -
2SC891 日电 PA Si.E 40 4 600 10.3W(Tc=25℃) 175 >15 115 -
2SC892 日电 PA Si.E 40 4 1.2A 17.7W(Tc=25℃) 175 - 115 -
2SC893 富士通 RF Si.TMe 100 6 500 12W(Tc=25℃) 175 100 97B -
2SC894 Sony RF.SW Si.DB 25 6 100 100 120 100 38 -
2SC895 Sony PA.SW Si.TMe 150 8 2.5A 23.7W 150 120 102 -
2SC896 日电 RF Si.E 55 5 200 300 175 - 46C -
2SC897 日立 PA Si.T 150 6 7A 60W(Tc-25'C) 150 60 102 2SA757
2SC898 日立 PA Si.T 150 5 7A 80W(Tc-25'C) 150 50 102 2SA758
2SC899 日电 RF.AF.LN Si.E 50 5 50 250 125 110 138 -
2SC900 日电 RF.LN Si.E 30 5 30 250 125 400 138 -

晶体管参数说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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[!--empirenews.page--]2sc三极管参数资料[/!--empirenews.page--]

 

型号 制造厂Mnf 用途App. 材料Type 最大额定值 (Ta=25℃) 结温 直流放大系数 封装外形 备注及替换
VCBO VEBO Ic Pc Tj hFE
(V) (V) (mA) (mW) (℃)
2SC901 松下 PA Si.TMe 200 6 5A 50W(Tc=70℃) 150 25 102 -
2SC901A 松下 PA Si.EP 250 6 5A 50W(Tc=70℃) 150 25 102 -
2SC902 富士通 SW Si.TMe 150 6 10A 75W(Tc=25℃) 175 50 102 -
2SC903 三菱 PA Si.EP 35 4 300 200 125 100 138B -
2SC904 三菱 PA Si.EP 50 4 300 200 125 100 138B -
2SC905 三菱 PA Si.EP 65 4 300 200 125 80 138B -
2SC906 富士通 PA.SW " 50 7 500 600 175 160 89 -
2SC907 日立 RF.SW.AF Si.DB 40 5 100 200 175 200 12A -
2SC907A 日立 RF.SW.AF Si.DB 60 5 100 200 175 120 12A -
2SC908 三菱 PA Si.EP 40 4 500 860 175 50 84B -
2SC909 三菱 PA Si.EP 40 4 500 7W(Tc=25℃) 200 50 113 -
2SC910 三菱 PA Si.EP 40 3 1A 10W(Tc=25℃) 200 - 113 -
2SC911 三菱 PA Si.EP 40 4 500 1.7W 175 50 271 -
2SC911A 三菱 PA Si.EP 40 4 500 1.7W 175 50 271 -
2SC912 三菱 RF.Conv. Si.EP 30 5 100 150 150 90 8A -
2SC913 富士通. SW Si.EP 40 5 300 300 175 70 49C -
2SC914 " SW Si.EP 40 5 300 300 175 70 49C -
2SC914A 富士通, SW Si.EP 40 5 300 300 175 70 49C -
2SC915 富士通. SW Si.EP 30 5 300 300 175 70 49C -
2SC915A 富士通, SW Si.EP 30 5 300 300 175 70 49C -
2SC916 " SW Si.EP 100 5.5 1.5A 2W 175 70 83 -
2SC917 日立 RF Si.P 40 - 50 300 175 40 56C -
2SC918 Sony RF Si.DB 20 - 30 188 100 80 205C -
2SC920 日电 RF.Conv. Si.E 50 5 30 150 150 75 23 -
2SC921 日电 RF.Conv.Mix.Osc. Si.E 25 2 10 100 150 65 23 -
2SC922 日电 RF.Conv.Mix.Osc. Si.E 30 5 20 250 125 80 138 -
2SC923 日电 RF.AF Si.E 40 5 100 250 125 500 138 2SA641
2SC924 日电 RF.AF Si.EP 30 - 50 250 125 100 138 -
2SC925 日电 RF.AF.SW Si.EP 30 5 50 250 125 130 138 -
2SC926 Sony RF.SW Si.DB 115 3.5 100 100 120 50 38 -
2SC926A Sony RF.AF.SW Si_DB 210 5 30 320 120 100 38 -
2SC927 三洋 RF.LN Si.TP 30 3 20 150 125 80 205C -
2SC928 三洋 RF Si.TP 30 3 20 150 125 80 205C -
2SC929 三洋 RF.Conv.LN Si.EP 30 5 30 250 125 100 138 -
2SC930 三洋 RF Si.EP 30 5 30 250 125 80 138 -
2SC931 三洋 PA Si.TMe 50 - 3A 10W(Tc=25℃) 125 70 120 -
2SC932 三洋 PA Si.TMe 30 - 3A 10W(Tc=25℃) 125 70 120 -
2SC933 三洋 AF Si.EP 50 5 300 300 125 150 138 -
2SC934 三洋 AF Si.EP 20 5 300 300 125 150 138 -
2SC935 日立 PA Si.T 300 5 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 14 102 -
2SC936 日立 PA Si.T 1000 5 1A 22W 125 45 102 -
2SC936A 日立 PA Si.TMe 1000 5 1A 22W(Tc=25℃) 150 45 102 -
2SC937 日立 PA Si.T 1200 6 2.5A 22W(Tc=25℃) 125 8 102 -
2SC938 日电 RF Si.E 60 5 200 250 125 80 138 -
2SC939 日电 PA.SW Si.EMe 150 7 5A 50W(Tc=25℃) 150 70 102 -
2SC940 日电 PA.SW Si.EMe 200 7 5A 50W(Tc=25℃) 150 40 102 -
2SC941 东芝 RF.LN Si.E 35 4 100 400 125 40-240 138 -
2SC942 富士通 RF Si.EP 20 3 20 300/unit 175 - 122C 直结2段2只复合管
2SC943 日电 RF Si.E 60 8 200 300 150 150 49C -
2SC944 日电 RF.AF.SW Si.E 60 8 100 250 125 180 138 -
2SC945 日电 RF.AF Si.E 60 5 100 250 125 200 138 2SA733
2SC947 松下 RF.Conv. Si.P 25 3 15 150 175 20 50C -
2SC948 松下 RF Si.P 25 3 15 150 175 24 50C -
2SC949 新日无 RF.AF.LN Si.EP 45 5 50 200 125 150 138 2SA763
2SC950 新日无 RF.AF Si.EP 30 5 100 300 125 100 138 2SA573
2SC951 新日无 RF.AF Si.EP 60 5 100 300 125 100 138 2SA574
2SC952 新日无 RF Si.EP 100 5 100 300 125 100 138 2SA575
2SC953 新日无 RF Si.EP 30 - 200 600 125 80 31 -
2SC954 新日无 RF.PA Si.EP 60 - 400 600 125 100 31 -
2SC955 新日无 RF Si.EP 20 - 50 150 125 100 29 -
2SC956 新日无 RF.AF Si.EP 50 5 50 150 125 250 29 -
2SC957 Sony RF Si.DB 30 - 100 360 100 30 206C -
2SC959 日电 PA Si.E 120 5 700 700 150 80 84B 2SA606
2SC960 日电 PA Si.E 120 5 700 1W 150 80 97B 2SA607
2SC961 芝电 PA Si.TMe 120 5 7A 60W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC962 芝电 PA Si.TMe 100 5 7A 60W(Tc=25℃) 150 60 102 -
2SC963 富士通 RF Si.EP 35 4 50 250 175 70 55C -
2SC964 富士通 RF Si.EP 35 4 50 250 175 100 55C -
2SC965 富士通 RF.SW Si.EP 45 4 100 250 175 130 55C -
2SC966 富士通 RF.AF.LN Si.EP 30 5 200 500 175 160 55C -
2SC967 富士通 RF.AF.PA Si.EP 30 5 500 500 175 160 55C -
2SC968 富士通 RF.PA Si.EP 50 5 500 500 175 160 55C -
2SC969 富士通 RF.AF.LN Si.EP 50 - 200 500 175 160 55C -
2SC970 富士通 RF.SW Si.EP 50 7 500 500 175 160 55C -
2SC971 富士通 RF.PA Si.EP 50 5 500 1W 175 160 90 -
2SC972 三洋 " Si.EP 70 5 400 600 150 40-200 84B -
2SC973 三菱 PA Si.EP 40 4 500 7W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC973A 三菱 PA Si.EP 40 4 700 12W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC974 三菱 PA Si.EP 35 - 1A 10W(Tc=25℃) 200 50 126 -
2SC975 三菱 PA Si.EP 35 5 1.5A 17W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC975A 三菱 PA Si.EP 40 5 1.5A 20W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC976 三菱 PA Si.EP 55 4 400 5W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC977 三菱 PA Si.EP 55 4 600 10W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC978 三菱 PA Si.EP 55 4.5 1.2A 18W(Tc=25℃) 175 50 126 -
2SC979 东芝 RF.SW Si.E 70 5 100 300 175 40-240 49C 2SA499
2SC979A 东芝 RF.SW Si.E 100 5 100 300 175 40-140 49C -
2SC980 东芝 RF.SW Si.E 70 5 100 400 125 70-240 138 -
2SC980A 东芝 RF.SW Si.E 90 5 100 400 125 70-140 138 -
2SC981 东芝 PA Si.E 100 5 5A 25W(Tc=25℃) 150 70 99 -
2SC982 东芝 AF.SW Si.E 40 10 300 400 125 >5000 138 达林顿
2SC983 东芝 AF.SW Si.TP 250 5 50 600 150 40-240 131 -
2SC984 日立 AF.SW Si.EPa 50 4 500 350 175 80 12A 2SA565
2SC985 日电 RF.LN Si.E 20 3 40 200 150 80 26 -
2SC985A 日电 RF.LN Si.E 20 3 40 300 200 100 26 -
2SC986 - RF Si.E 35 3 200 3.5W(Tc=25℃) 200 100 146A -
2SC987 日电 RF Si.E 20 3 30 150 150 80 26 -
2SC987A 日电 RF.LN Si.E 20 3 30 250 200 100 26 -
2SC988 日电 RF.LN Si.E 20 3 30 200 200 100 50C -
2SC988A 日电 RF Si.E 20 3 30 200 200 100 50C -
2SC988B 日电 RF Si.E 20 3 30 200 200 100 50C -
2SC989 日电 RF.LN Si.E 20 3 50 300 200 80 25 -
2SC990 日电 PA Si.E 50 4 2A 24W(Tc=25℃) 175 40 116 -
2SC991 东芝 PA Si.EP 36 4 400 600 175 30 84B -
2SC992 东芝 PA Si.EP 36 4 600 600 175 30 84B -
2SC993 富士通 RF Si.EP 25 - 200 200 175 - 46C -
2SC994 东芝 RF.PA Si.EP 36 3 100 600 175 20-400 84B -
2SC995 东芝 RF.PA Si.TP 300 5 150 800 150 25-400 84B -
2SC996 东芝 RF.PA Si.TP 300 5 150 1.2W 150 25-400 97B -
2SC997 东芝 RF Si.P 40 - 25 150 150 70 117C -
2SC998 东芝 PA Sj.EP 40 4 400 600 175 >20 84B -
2SC999 东芝 RF.PA.SW Si.TMe 1500 5 1.5A 50W(Tc=25℃) 150 50 102 -
2SC999A 东芝 RF.PA.SW Si.TMe 1500 5 2.5A 50W(Tc=25℃) 150 30 102 -
2SC1000 东芝 LN Si.E 60 5 150 400 125 200-700 138 2SA493

晶体管参数表说明：（材料：Ge锗，Si硅） （放大倍数：MIX表示最小值，带有T的表示典型值）www.838dz.com
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