GaAs FET 1.2GHz前置放大器
使用于RF前置放大器的组件有很多种，但是就NF的观点而言，要数砷化镓GａAS FET最佳。图中使用GａAS FET的2SK571（NEC)的低杂音前置放大器的电路，功率增益为10dB左右，NF在1dB以下，其价格大约在日币数百元左右。由双面玻璃纤维（Glass Epoxy)基板洗成条状线（Strip Line)而成，基板使用1.6㎜厚度者，基板的正反面接上数个地方的焊锡锥。条状线要图中所示的正确尺寸，零件要以铭铁直接焊在基板上，分别有电阻器、线圈、微调电容器，最后再焊上FET，接收信号调整TC1、TC2、TC3，调整使NF值达最佳值即可。由于电路相当简洁，所以最适于天线增波器的前置放大器，但是常因输入过大而破坏，这是要特别注意的。配合使用于收发报机时，发送接收的切换时序（Timing)要在确实发送的后再接到前置放大器。
