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NP4N10BMR

时间:2026-11-03 08:15:01

NP4N10BMR采用沟槽技术提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和高密度单元设计，实现超低导通电阻。该器件适合用作负载开关或PWM应用资料下载

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电路图解压密码：www.838dz.com (小写)

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