2M～30MHZ，500W宽频带线性放大器 于HF频带，要得到500W之输出功率，有将数100W输出的功率放大器单体(Power Amp Unit)使用功率分配/合成网路(Network）予以合成的方法，但是要制作损失少的网路，多少需要点技术。图中是以4个功率MOS FET组成并联/推挽（Parallel/Push-pull) 结构，因此不以功率分配/合成网络就可以得到输出500W以上之功率。输入、输出匹配 电路利用RF变压器采宽频带设计，而且由于有负回授之结构，因此功率增益在2M～30MHZ之间有1～1.5db范围之平坦性（Flatness）。
MRF150为Motorola 公司的功率MOS FET，又称为TMOS FET，其在电源电压50V时具 有输出150W之性能，如图所示，此外亦有同样输出150W情形下，只需电源电压28V的MRF140FET，因此可依使用DC电源电压的不同选用，但是使用MRF140时，闸极偏压电 路及输入、输出变压器的阻抗变换比，调谐用电容器 常数等就需要稍加变更，但是可以使用相同的基本电 路及电路基板。但是，所谓的并联推挽接法对功率MOS FET是适合的，而双极三极管则并不见得实用，这是因为双极三极管射极接地的输入阻抗大约是同等级FET源极接地的1/5～1/10左右所致。 然而，复数个FET并联接着使用时，若使用单位增益（Unity Gain）频率高的元件的话，由 于并联阻抗及闸－洩极间容量之关系会形成共振电路，有可能引起振荡，此类振荡是因为比 放大器频带宽度还高的频率产生360°相移（Phase Shift），结果因FET的洩－闸极间容 量Crss 引起振荡，要防止这类振荡，可在不影响放大器增益之情形下，于闸极插入数值低的无感电阻。