| MP系列三极管资料查询参数代换 型号材料极性功耗集极-基极电压集极-射极电压射极-基极电压最大集电极电流特征频率放大系数 外型封装用途及互换型号VCBVCEVEBICmaxfThFE MP10 Ge npn 150mW 15V |
| /diode/mp.htm - 2009-02-16 - 晶体管参数表 |
| MMB三极管资料查询代换参数 型号材料极性功耗集极-基极电压集极-射极电压射极-基极电压最大集电极电流特征频率放大系数 外型封装用途及互换型号VCBVCEVEBICmaxfThFE MMCM2221 Si npn 200mW 60 |
| /diode/mmcm-mmt-mmun.htm - 2009-02-16 - 晶体管参数表 |
| MMB三极管资料查询代换参数型号材料极性功耗集极-基极电压集极-射极电压射极-基极电压最大集电极电流特征频率放大系数 外型封装用途及互换型号VCBVCEVEBICmaxfThFE MMBA811C5 Si pnp 300mW 50 |
| /diode/mmb.htm - 2009-02-16 - 晶体管参数表 |
| MM三极管资料查询代换参数型号材料极性功耗集极-基极电压集极-射极电压射极-基极电压最大集电极电流特征频率放大系数 外型封装用途及互换型号VCBVCEVEBICmaxfThFE MM1008 Si npn 1W 80V 50V 5V |
| /diode/mm.htm - 2009-02-16 - 晶体管参数表 |
| BUP系列三极管资料查询参数代换型号材料极性功耗集极-基极电压集极-射极电压射极-基极电压最大集电极电流特征频率放大系数 外型封装用途及互换型号VCBVCEVEBICmaxfThFE BUP21 Si npn 100W - 3 |
| /diode/bup.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUW11 Si npn 100W 850V 400V - 5A 150>C - - 5MIN MUL TOP3 AHE BUV82 - - BUW11A S |
| /diode/861.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUY10 Si npn 2.5W 40V 20V 6V 800mA 165>C 50MHz - 15/60 ITT TO3 RHG - - - BUY11 |
| /diode/860.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUX10 Si npn 150W 160V 125V 7V 25A 200>C 8MHz - 20/60 STE TO3 High Power High V |
| /diode/859.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换BUV47AP Si npn 120W 1000V 450V - 9A 200>C - 3.2MIN SML TO218 IHS BUV47B Si npn 1 |
| /diode/858.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUT100 Si npn 300W 200V 125V - 50A 200>C - - 10MIN STE TO3 IHS BUT90 - - BUT102 |
| /diode/857.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUS11 Si npn 100W 850V 400V 9V 5A 200>C - - 30T MUL TO3 AHE BUX47 - - BUS11/4 S |
| /diode/856.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUR10 Si npn 30W 100V 80V 8V 5A 200>C 50MHz - 40MIN STE TO66 RHG - - - BUR11 Si |
| /diode/855.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUL146 Si npn 100W 700V 400V 9V 6A 150>C 14MHz 150 14/34 MOT TO220 AHS - - - BU |
| /diode/854.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUH100 Si npn 100W 700V 400V 10V 4A 150>C - 150 15/24 MOT TO220 IHS - - - BUH10 |
| /diode/853.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BUF405 Si npn 80W 850V 450V - 7.5A 150>C - - 100MIN STE TOP3 High Power High Vo |
| /diode/852.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换BFR10 Si npn 800mW 75V 40V 8V 500mA 200>C 250MHz 8 60/120 STM TO39 Medium Power |
| /diode/850.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BFQ134 Si npn 500mW 19V 150mA 150>C 7GHz 80MIN PHI TO131 ULA BFQ135 Si npn 2.7W |
| /diode/849.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换BFP10 Si npn 360mW 25V 20V - 50mA 150>C 4GHz 1,4 40MIN STM TO131 SLN BFP11 Si np |
| /diode/848.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| 型号材料极性功耗VCB VCEVEBICmax最大结温 Tjmax 特征频率 fT 结电容放大系数 hFE生产厂商外型封装用途代换 BFG10 Si npn 250mW 8V 250mA 150>C 19GHz 40MIN PHI SOT143 RF WidebandBFG10W Si n |
| /diode/847.htm - 2009-02-13 - 晶体管参数表 |
| BC三极管资料参数代换型号材料极性功耗集极-基极电压集极-射极电压射极-基极电压最大集电极电流特征频率放大系数 外型封装用途及互换型号VCBVCEVEBICmaxfThFE BC100 Si npn 590mW 350V 300V - |
| /diode/bc.htm - 2009-02-12 - 晶体管参数表 |