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NP6601AMR

时间:2026-11-06 08:05:07

NP6601AMR采用先进的沟槽技术以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这互补的MOSFETs可以用来形成一个级移位的高端开关，对于许多其他应用程序。资料下载

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