AWP35115集成一个126mΩ(典型值。)P沟道MOSFET，可在1V至5.5V的宽输入范围内工作。AWP35115具有极低的静态电流(IQ)和关断电流(ISD)。低IQ和ISD解决方案有助于设计人员降低寄生漏电流，提高系统效率，并延长电池寿命。
AWP35115具有输出压摆率控制功能，可限制开启期间的浪涌电流，从而保护下游器件。
此外，AWP35115具有QOD功能，可以防止开关禁用时输出浮动。初始上电期间，EN引脚使用一个智能下拉电阻，一旦EN引脚电压达到资料下载
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